形成MOS晶体管的方法

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专利标题： 形成MOS晶体管的方法
专利标题（英）： Method of forming an mos transistor
申请号： CN200710084229.8

申请日： 2007-02-27
公开(公告)号： CN101034716B

公开(公告)日： 2010-12-01
发明人: 戈登·M·格里瓦纳 , 弗兰西恩·Y.·罗伯
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
申请人地址： 美国亚利桑那
专利权人： 半导体元件工业有限责任公司
当前专利权人： 半导体元件工业有限责任公司
当前专利权人地址： 美国亚利桑那
代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理商 秦晨
优先权： 11/367,627 2006.03.06 US
主分类号： H01L29/423
IPC分类号： H01L29/423 ; H01L29/78 ; H01L21/336 ; H01L21/28

摘要：

在一个实施例中，利用沟道栅极来形成MOS晶体管。所述沟道栅极的栅极结构具有第一个绝缘体，该第一个绝缘体具有在所述栅极的一个区域内的第一个厚度和在所述栅极的第二个区域内的第二个厚度。

摘要（英）：

In one embodiment, an MOS transistor is formed with trench gates. The gate structure of the trench gates generally has a first insulator that has a first thickness in one region of the gate and a second thickness in a second region of the gate.

公开/授权文献

CN101034716A 形成MOS晶体管的方法及其结构公开/授权日：2007-09-12

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/40	.按其电极特征区分的
H01L29/41	..以其形状、相对尺寸或位置为特征的
H01L29/423	...不通有待整流、放大或切换电流的