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公开(公告)号：CN1937176A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610153920.2
申请日：2006-09-12
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
Inventor： 戈登·M·格里瓦纳 , 普拉萨德·文卡塔拉曼
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/2815 , H01L29/0615 , H01L29/086 , H01L29/0869 , H01L29/402 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/456 , H01L29/4933 , H01L29/66719 , H01L29/66727
Abstract: 在一种实施方式中，在两种相反掺杂的相邻半导体区上制作硅化物层。制作与两个硅化物都电接触的导体材料。
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公开(公告)号：CN109037122B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201811127020.X
申请日：2013-11-07
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
Inventor： 戈登·M·格里瓦纳
Abstract: 本公开涉及半导体片芯单颗化方法和装置。在一个实施例中，通过如下来将片芯从具有背层的晶片单颗化：将所述晶片放置到第一载体基板上，背层与载体基板相邻近；形成通过晶片的单颗化线以露出单颗化线内的背层；以及，利用机械装置施加局部化的压力到晶片以在单颗化线中分开所述背层。可以临近所述背层地通过第一载体基板施加局部化的压力，或者，可以通过附接到晶片的与所述背层相反的正面的第二载体基板施加所述局部化的压力。
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公开(公告)号：CN103811419A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310547843.9
申请日：2013-11-07
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
Inventor： 戈登·M·格里瓦纳
IPC: H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78 , B28D5/0017 , H01L21/3065 , H01L21/477 , H01L21/67092 , H01L21/67098 , H01L21/67132 , H01L21/67144 , H01L21/6836 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2223/54453 , Y02P80/30 , Y10T29/41 , Y10T225/304 , Y10T225/379 , Y10T225/386
Abstract: 本公开涉及半导体片芯单颗化方法和装置。在一个实施例中，通过如下来将片芯从具有背层的晶片单颗化：将所述晶片放置到第一载体基板上，背层与载体基板相邻近；形成通过晶片的单颗化线以露出单颗化线内的背层；以及，利用机械装置施加局部化的压力到晶片以在单颗化线中分开所述背层。可以临近所述背层地通过第一载体基板施加局部化的压力，或者，可以通过附接到晶片的与所述背层相反的正面的第二载体基板施加所述局部化的压力。
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公开(公告)号：CN1941406A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610153918.5
申请日：2006-09-12
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
Inventor： 戈登·M·格里瓦纳
IPC: H01L29/41 , H01L29/423 , H01L29/73 , H01L21/28 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/66272 , H01L21/28525 , H01L21/76895 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L29/41708 , H01L29/42304
Abstract: 本发明涉及一种形成自对准晶体管的方法及其结构。在一种实施方式中，形成晶体管时使用两部分导体，以与晶体管的有源区之一发生电接触。
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公开(公告)号：CN103811419B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201310547843.9
申请日：2013-11-07
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
Inventor： 戈登·M·格里瓦纳
IPC: H01L21/78
Abstract: 本公开涉及半导体片芯单颗化方法和装置。在一个实施例中，通过如下来将片芯从具有背层的晶片单颗化：将所述晶片放置到第一载体基板上，背层与载体基板相邻近；形成通过晶片的单颗化线以露出单颗化线内的背层；以及，利用机械装置施加局部化的压力到晶片以在单颗化线中分开所述背层。可以临近所述背层地通过第一载体基板施加局部化的压力，或者，可以通过附接到晶片的与所述背层相反的正面的第二载体基板施加所述局部化的压力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1941406B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200610153918.5
申请日：2006-09-12
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
Inventor： 戈登·M·格里瓦纳
IPC: H01L29/41 , H01L29/423 , H01L29/73 , H01L21/28 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/66272 , H01L21/28525 , H01L21/76895 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L29/41708 , H01L29/42304
Abstract: 本发明涉及一种形成自对准晶体管的方法及其结构。在一种实施方式中，形成晶体管时使用两部分导体，以与晶体管的有源区之一发生电接触。
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公开(公告)号：CN100552919C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200610077301.X
申请日：2006-04-26
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
IPC: H01L21/822 , H01L21/76 , H01L27/04 , H01L27/06
CPC classification number: H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L27/0635 , H01L27/0676
Abstract: 一种制作半导体器件的方法，它包括形成隔离沟槽，这些隔离沟槽被用来将半导体管芯上诸如晶体管、二极管、电容器、或电阻器之类的电学元件隔离于半导体管芯上的其它元件。
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公开(公告)号：CN101083282A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710106369.0
申请日：2007-05-28
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/0886 , H01L29/1095 , H01L29/41766 , H01L29/42368 , H01L29/456 , H01L29/66719 , H01L29/66727 , H01L29/66734
Abstract: 具有下表面沟道电荷补偿区域的半导体器件及方法。在一个实施例中，形成半导体器件，其具有接近器件沟道区的下表面电荷补偿区。电荷补偿沟道包括至少两个相反导电类型半导体层。沟道连接区域将沟道区电连接到至少两个相反导电类型半导体层中的一个。
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公开(公告)号：CN1858899A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200610077301.X
申请日：2006-04-26
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
IPC: H01L21/822 , H01L21/76 , H01L27/04 , H01L27/06
CPC classification number: H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L27/0635 , H01L27/0676
Abstract: 一种制作半导体器件的方法，它包括形成隔离沟槽，这些隔离沟槽被用来将半导体管芯上诸如晶体管、二极管、电容器、或电阻器之类的电学元件隔离于半导体管芯上的其它元件。
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公开(公告)号：CN1956153B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200610142386.5
申请日：2006-10-11
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
Inventor： 戈登·M·格里瓦纳
IPC: H01L21/283 , H01L21/31 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/66734
Abstract: 在一种实施方式中，制作一种沟槽半导体器件，其沿着沟槽的侧壁具有第一厚度的氧化物，而且沿着该沟槽的底部的至少一部分具有更厚的厚度。
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