发明公开
CN101128935A 半导体器件
失效 - 权利终止
- 专利标题: 半导体器件
- 专利标题(英): Semiconductor device
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申请号: CN200580040575.5申请日: 2005-11-22
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公开(公告)号: CN101128935A公开(公告)日: 2008-02-20
- 发明人: 安部宽子 , 汤川干央 , 高野圭惠 , 浅见良信 , 加藤清 , 野村亮二 , 守屋芳隆
- 申请人: 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址: 日本神奈川
- 专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址: 日本神奈川
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 王以平
- 优先权: 343177/2004 2004.11.26 JP
- 国际申请: PCT/JP2005/021930 2005.11.22
- 国际公布: WO2006/057417 EN 2006.06.01
- 进入国家日期: 2007-05-25
- 主分类号: H01L27/28
- IPC分类号: H01L27/28 ; G06K19/07 ; H01L27/10 ; G06K19/077 ; H01L51/05 ; G11C13/00
摘要:
本发明的目的在于提供一种除在制造过程中外可以写入数据、并可以防止由于重写的伪造的易失性有机存储器,并且还提供一种包含这种有机存储器的半导体器件。本发明的特征在于,半导体器件包括:在第一方向上延伸的多个位线,在不同于第一方向的第二方向上延伸的多个字线,具有设置在位线与字线的交叉位置上的多个存储单元的存储单元阵列,以及设置在存储单元中的存储元件;其中,该存储元件包含位线、有机化合物层、和字线;该有机化合物层包含由无机化合物和有机化合物混合的层。
公开/授权文献
- CN100576557C 半导体器件及其制造方法 公开/授权日:2009-12-30
IPC分类: