半导体器件
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101073125B

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN200580042067.0

    申请日:2005-12-01

    IPC分类号: G11C13/02 G11C11/22

    摘要: 半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于提供一种可以另外地写入数据并且容易制造的易失性半导体器件,及其制造方法。本发明的特征是半导体器件包括元件形成层,它包括提供在衬底上的第一晶体管和第二晶体管;提供在元件形成层上的存储元件;以及提供在存储元件上的传感器部分,其中存储元件具有包括第一导电层、有机化合物层和第二导电层的分层结构,第一导电层电连接到第一晶体管,并且传感器部分电连接到第二晶体管。

    激光振荡器
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100479275C

    公开(公告)日:2009-04-15

    申请号:CN200410035100.4

    申请日:2004-04-23

    IPC分类号: H01S3/16 H01S3/00 H05B33/00

    CPC分类号: H01S5/041 H01S3/14 H01S3/1628

    摘要: 提供振荡波长在可见光范围内的激光振荡器并且增强光子输出的转换效率,进一步抑制能量消耗。该激光振荡器包含在基底上形成的发光元件和光谐振器。发光元件包括发光层、阳极和阴极,其中发光层夹在阳极和阴极之间。发光层包含主体材料和磷光材料,磷光材料以不小于10wt%的浓度分散在主体材料中。阳极和阴极包含透光性能。在来自磷光材料的受激准分子状态的发光中,与发光层相交的单向光被光谐振器放大。