纳米尺度沟道晶体管的块接触结构

发明公开

CN101208805A 纳米尺度沟道晶体管的块接触结构有权复审申请

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专利标题： 纳米尺度沟道晶体管的块接触结构
专利标题（英）： Block contact architectures for nanoscale channel transistors
申请号： CN200680023301.X

申请日： 2006-06-29
公开(公告)号： CN101208805A

公开(公告)日： 2008-06-25
发明人: M·拉多萨夫耶维克 , A·马祖姆达 , B·S·多伊尔 , J·卡瓦利罗斯 , M·L·多茨 , J·K·布拉斯克 , U·沙 , S·达塔 , R·S·曹
申请人： 英特尔公司
申请人地址： 美国加利福尼亚州
专利权人： 英特尔公司
当前专利权人： 英特尔公司
当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
代理商 曾祥夌; 陈景峻
优先权： 11/173,866 2005.06.30 US
国际申请： PCT/US2006/025751 2006.06.29
国际公布： WO2007/005697 EN 2007.01.11
进入国家日期： 2007-12-27
主分类号： H01L29/786
IPC分类号： H01L29/786 ; H01L29/417 ; H01L21/336

摘要：

一种纳米尺度沟道器件的接触体系结构，具有耦合并延伸在具有多个并行半导体本体的源区和漏区之间的接触结构。所述接触结构能够接触具有亚光刻间距的并行半导体本体。

摘要（英）：

A contact architecture for nanoscale channel devices having contact structures coupling to and extending between source or drain regions of a device having a plurality of parallel semiconductor bodies. The contact structures being able to contact parallel semiconductor bodies having sub-lithographic pitch.

公开/授权文献

CN101208805B 纳米尺度沟道晶体管的块接触结构公开/授权日：2014-07-30

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/786	......薄膜晶体管