公开(公告)号：CN101208805B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN200680023301.X

申请日：2006-06-29

申请人： 英特尔公司

发明人： M·拉多萨夫耶维克 ,  A·马祖姆达 ,  B·S·多伊尔 ,  J·卡瓦利罗斯 ,  M·L·多茨 ,  J·K·布拉斯克 ,  U·沙 ,  S·达塔 ,  R·S·曹

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L2029/7858

摘要： 一种纳米尺度沟道器件的接触体系结构，具有耦合并延伸在具有多个并行半导体本体的源区和漏区之间的接触结构。所述接触结构能够接触具有亚光刻间距的并行半导体本体。

公开(公告)号：CN101208805A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200680023301.X

申请日：2006-06-29

申请人： 英特尔公司

发明人： M·拉多萨夫耶维克 ,  A·马祖姆达 ,  B·S·多伊尔 ,  J·卡瓦利罗斯 ,  M·L·多茨 ,  J·K·布拉斯克 ,  U·沙 ,  S·达塔 ,  R·S·曹

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L2029/7858

摘要： 一种纳米尺度沟道器件的接触体系结构，具有耦合并延伸在具有多个并行半导体本体的源区和漏区之间的接触结构。所述接触结构能够接触具有亚光刻间距的并行半导体本体。

公开(公告)号：CN1437769A

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN00819260.X

申请日：2000-11-27

申请人： 英特尔公司

发明人： A·S·穆菲 ,  R·S·曹 ,  P·莫罗 ,  R·S·麦克法登

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L29/66628 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66636

摘要： 一种微电子结构包括至少一个属于第一导电型的源/漏端，所述源/漏端与属于第二导电型的半导体材料区域部分隔离。根据本发明的再一方面，一种用于形成如MOSFET等的微电子结构的方法，所述结构具有至少一个属于第一导电型的源/漏端，其被与第二导电型的半导体材料区域部分地隔开，所述方法包括形成具有表面的凹槽；在所述凹槽的一部分表面上形成介电材料，和对所述凹槽进行回填以形成源/漏端。

公开(公告)号：CN1095196C

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN95197621.4

申请日：1995-12-21

申请人： 英特尔公司

发明人： R·S·曹 ,  C·-H·彻恩 ,  C·-H·雅 ,  K·R·维尔顿 ,  P·A·佩卡恩 ,  L·D·尧

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/265 ,  H01L21/465 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66613 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： 具有超浅端区(214)的新型晶体管(200)及其制造方法。本发明的新型晶体管有一个源/漏扩展或端区(210)，该源/漏扩展或端区包括延伸到栅电极和突起的区域(216)下的超浅区(214)。

公开(公告)号：CN1201403C

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN00819260.X

申请日：2000-11-27

申请人： 英特尔公司

发明人： A·S·穆菲 ,  R·S·曹 ,  P·莫罗 ,  R·S·麦克法登

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L29/66628 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66636

摘要： 一种微电子结构包括至少一个属于第一导电型的源/漏端，所述源/漏端与属于第二导电型的半导体材料区域部分隔离。根据本发明的再一方面，一种用于形成如MOSFET等的微电子结构的方法，所述结构具有至少一个属于第一导电型的源/漏端，其被与第二导电型的半导体材料区域部分地隔开，所述方法包括形成具有表面的凹槽；在所述凹槽的一部分表面上形成介电材料，和对所述凹槽进行回填以形成源/漏端。

公开(公告)号：CN1175321A

公开(公告)日：1998-03-04

申请号：CN95197621.4

申请日：1995-12-21

申请人： 英特尔公司

发明人： R·S·曹 ,  C·H·彻恩 ,  C·H·雅 ,  K·R·维尔顿 ,  P·A·佩卡恩 ,  L·D·尧

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/265 ,  H01L21/465 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66613 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： 具有超浅端区(214)的新型晶体管(200)及其制造方法。本发明的新型晶体管有一个源/漏扩展或端区(210),该源/漏扩展或端区包括延伸到栅电极和突起的区域(216)下的超浅区(214)。