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公开(公告)号：CN102087999A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010591397.8
申请日：2004-12-21
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L29/49 , H01L29/51
CPC分类号： H01L29/517 , H01L21/823842 , H01L29/495 , H01L29/66545 , Y10S438/926
摘要： 本发明涉及用于集成替换金属栅极结构的方法。本发明描述了形成微电子器件的方法和相关结构。那些方法包括：提供包括包含n-型栅极材料的第一晶体管结构和包含p-型栅极材料的第二晶体管结构的衬底，选择性地去除n-型栅极材料以在第一栅极结构中形成凹进，然后用n-型金属栅极材料填充该凹进。
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公开(公告)号：CN1902749A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200480039412.0
申请日：2004-12-22
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/8238
CPC分类号： H01L21/28097 , H01L21/823835 , H01L21/823842 , H01L27/1203 , H01L29/4975 , H01L29/66545 , Y10S438/926
摘要： 描述了一种半导体器件以及形成它的方法。该半导体器件包括形成在衬底的第一部分上的金属NMOS栅电极和形成在衬底的第二部分上的硅化物PMOS栅电极。
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公开(公告)号：CN101208805B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN200680023301.X
申请日：2006-06-29
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/417 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/785 , H01L29/41791 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7851 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L2029/7858
摘要： 一种纳米尺度沟道器件的接触体系结构，具有耦合并延伸在具有多个并行半导体本体的源区和漏区之间的接触结构。所述接触结构能够接触具有亚光刻间距的并行半导体本体。
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公开(公告)号：CN100550350C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200480039412.0
申请日：2004-12-22
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/8238
CPC分类号： H01L21/28097 , H01L21/823835 , H01L21/823842 , H01L27/1203 , H01L29/4975 , H01L29/66545 , Y10S438/926
摘要： 描述了一种半导体器件以及形成它的方法。该半导体器件包括形成在衬底的第一部分上的金属NMOS栅电极和形成在衬底的第二部分上的硅化物PMOS栅电极。
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公开(公告)号：CN101208805A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200680023301.X
申请日：2006-06-29
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/417 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/785 , H01L29/41791 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7851 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L2029/7858
摘要： 一种纳米尺度沟道器件的接触体系结构，具有耦合并延伸在具有多个并行半导体本体的源区和漏区之间的接触结构。所述接触结构能够接触具有亚光刻间距的并行半导体本体。
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公开(公告)号：CN1902750A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200480039439.X
申请日：2004-12-21
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/8238
CPC分类号： H01L29/517 , H01L21/823842 , H01L29/495 , H01L29/66545 , Y10S438/926
摘要： 描述了形成微电子器件的方法和相关结构。那些方法包括：提供包括包含n－型栅极材料的第一晶体管结构和包含p－型栅极材料的第二晶体管结构的衬底，选择性地去除n－型栅极材料以在第一栅极结构中形成凹进，然后用n－型金属栅极材料填充该凹进。
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