公开(公告)号：CN1812123B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200510023017.X

申请日：2005-10-28

申请人： 英特尔公司

发明人： B·多伊尔 ,  S·达塔 ,  J·布拉斯克 ,  J·卡瓦利罗斯 ,  A·马朱姆达 ,  M·拉多萨夫耶维克 ,  R·仇

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0847 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/76 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7834

摘要： 本发明的一实施例涉及具有低截止漏电流的半导体器件的制造方法。第一器件的栅极结构形成在具有硬掩模的衬底层上。沟道在栅极结构下面形成并具有一定宽度用于支撑栅极结构。在衬底层上淀积一层氧化物或介电层。在氧化物层上淀积一层掺杂多晶硅层。在第一器件与相邻器件之间的掺杂多晶硅层上形成一凹陷结区。

公开(公告)号：CN101208805B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN200680023301.X

申请日：2006-06-29

申请人： 英特尔公司

发明人： M·拉多萨夫耶维克 ,  A·马祖姆达 ,  B·S·多伊尔 ,  J·卡瓦利罗斯 ,  M·L·多茨 ,  J·K·布拉斯克 ,  U·沙 ,  S·达塔 ,  R·S·曹

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L2029/7858

摘要： 一种纳米尺度沟道器件的接触体系结构，具有耦合并延伸在具有多个并行半导体本体的源区和漏区之间的接触结构。所述接触结构能够接触具有亚光刻间距的并行半导体本体。

公开(公告)号：CN1812123A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510023017.X

申请日：2005-10-28

申请人： 英特尔公司

发明人： B·多伊尔 ,  S·达塔 ,  J·布拉斯克 ,  J·卡瓦利罗斯 ,  A·马朱姆达 ,  M·拉多萨夫耶维克 ,  R·仇

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0847 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/76 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7834

摘要： 本发明的一实施例涉及具有低截止漏电流的半导体器件的制造方法。第一器件的栅极结构形成在具有硬掩模的衬底层上。沟道在栅极结构下面形成并具有一定宽度用于支撑栅极结构。在衬底层上淀积一层氧化物或介电层。在氧化物层上淀积一层掺杂多晶硅层。在第一器件与相邻器件之间的掺杂多晶硅层上形成一凹陷结区。

公开(公告)号：CN102637741A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210110878.1

申请日：2005-10-28

申请人： 英特尔公司

发明人： B·多伊尔 ,  S·达塔 ,  J·布拉斯克 ,  J·卡瓦利罗斯 ,  A·马朱姆达 ,  M·拉多萨夫耶维克 ,  R·仇

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L27/088 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00

CPC分类号： H01L29/0847 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/76 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7834

摘要： 本发明的名称为应用金属氧化物半导体工艺的共振隧穿器件，其中的一实施例涉及具有低截止漏电流的半导体器件的制造方法。第一器件的栅极结构形成在具有硬掩模的衬底层上。沟道在栅极结构下面形成并具有一定宽度用于支撑栅极结构。在衬底层上淀积一层氧化物或介电层。在氧化物层上淀积一层掺杂多晶硅层。在第一器件与相邻器件之间的掺杂多晶硅层上形成一凹陷结区。

公开(公告)号：CN102637741B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210110878.1

申请日：2005-10-28

申请人： 英特尔公司

发明人： B·多伊尔 ,  S·达塔 ,  J·布拉斯克 ,  J·卡瓦利罗斯 ,  A·马朱姆达 ,  M·拉多萨夫耶维克 ,  R·仇

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L27/088 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00

CPC分类号： H01L29/0847 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/76 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7834

摘要： 本发明的名称为应用金属氧化物半导体工艺的共振隧穿器件，其中的一实施例涉及具有低截止漏电流的半导体器件的制造方法。第一器件的栅极结构形成在具有硬掩模的衬底层上。沟道在栅极结构下面形成并具有一定宽度用于支撑栅极结构。在衬底层上淀积一层氧化物或介电层。在氧化物层上淀积一层掺杂多晶硅层。在第一器件与相邻器件之间的掺杂多晶硅层上形成一凹陷结区。

公开(公告)号：CN101208805A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200680023301.X

申请日：2006-06-29

申请人： 英特尔公司

发明人： M·拉多萨夫耶维克 ,  A·马祖姆达 ,  B·S·多伊尔 ,  J·卡瓦利罗斯 ,  M·L·多茨 ,  J·K·布拉斯克 ,  U·沙 ,  S·达塔 ,  R·S·曹

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L2029/7858

摘要： 一种纳米尺度沟道器件的接触体系结构，具有耦合并延伸在具有多个并行半导体本体的源区和漏区之间的接触结构。所述接触结构能够接触具有亚光刻间距的并行半导体本体。