发明公开
- 专利标题： 一种消除蚀刻图形偏移的方法及装置
- 专利标题（英）： Method and apparatus for eliminating migration of etching pattern
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申请号： CN200710040530.9申请日： 2007-05-11
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公开(公告)号： CN101303963A公开(公告)日： 2008-11-12
- 发明人: 汪新学 , 陈晓军 , 杨晨 , 黄光瑜
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构： 上海智信专利代理有限公司
- 代理商 王洁
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00 ; H01L21/3065 ; H01L21/311 ; H01L21/3213 ; H01J37/32 ; H05H1/00 ; C23F4/00
摘要：
一种消除蚀刻图形转移的方法及装置，通过在等离子轰击装置上采用较薄的聚焦环，或将聚焦环与晶片的距离增大，从而减小对等离子轰击方向的影响使等离子轰击保持方向。本发明能有效地解决蚀刻图形转移的问题，提高了成品率，节约了生产成本。
公开/授权文献
- CN101303963B 一种消除蚀刻图形偏移的方法及装置 公开/授权日：2012-12-26
IPC分类:
