形成集成电路结构的方法

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专利标题： 形成集成电路结构的方法
专利标题（英）： Method for forming IC structure
申请号： CN200810095578.4

申请日： 2008-04-29
公开(公告)号： CN101350322A

公开(公告)日： 2009-01-21
发明人: 李建勋 , 赵智杰 , 宋明忠 , 郭祖宽
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址： 中国台湾新竹市
专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
当前专利权人地址： 中国台湾新竹市
代理机构： 隆天国际知识产权代理有限公司
代理商 陈晨; 张浴月
优先权： 11/800,386 2007.05.04 US
主分类号： H01L21/60
IPC分类号： H01L21/60

摘要：

本发明提供一种封装及形成集成电路结构的方法，包括提供其表面上具有接合导体的晶圆，并涂抹混合底胶至晶圆的表面上。混合底胶包括底胶材料及助熔剂材料。在涂抹混合底胶的步骤后，将芯片接合至晶圆上，且使得芯片上的焊料凸块与接合导体连接。本发明能够减小接合在晶圆上的芯片间的距离，节省晶圆范围，并减少工艺时间。

摘要（英）：

The invention provides a method for encapsulating and forming integrated circuit structure, which comprises: providing a crystal circle with jointing conductor formed on the surface; coating mixed bottom glue containing bottom glue material and flux material on the surface of the crystal circle; and combining chips onto the crystal circle with the solder on the chip connected with the jointing conductor. The invention can reduce the distance between the chips combined on the crystal circle, save the crystal circle range and reduce process time.

公开/授权文献

CN101350322B 形成集成电路结构的方法公开/授权日：2011-04-06

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50	...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60	....引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流