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公开(公告)号:CN103117233A
公开(公告)日:2013-05-22
申请号:CN201210115554.7
申请日:2012-04-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/56 , H01L21/563 , H01L21/67109 , H01L21/68764 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种固化材料的系统和一种固化材料的方法。材料(例如,填充材料)在固化工艺中被旋转。固化系统可以包括室、支撑一个或多个工件的支撑件、以及旋转机构。旋转机构在固化工艺中旋转工件。室可以包括一个或多个热源和风扇,并且可以进一步包括控制器。固化工艺可以包括变化旋转速度、持续旋转、周期性地旋转等。本发明还提供了旋转固化。
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公开(公告)号:CN103117233B
公开(公告)日:2016-06-29
申请号:CN201210115554.7
申请日:2012-04-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/56 , H01L21/563 , H01L21/67109 , H01L21/68764 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种固化材料的系统和一种固化材料的方法。材料(例如,填充材料)在固化工艺中被旋转。固化系统可以包括室、支撑一个或多个工件的支撑件、以及旋转机构。旋转机构在固化工艺中旋转工件。室可以包括一个或多个热源和风扇,并且可以进一步包括控制器。固化工艺可以包括变化旋转速度、持续旋转、周期性地旋转等。本发明还提供了旋转固化。
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公开(公告)号:CN104051382A
公开(公告)日:2014-09-17
申请号:CN201310294054.9
申请日:2013-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/603
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/4853 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/1184 , H01L2224/11848 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明提供了层叠封装结构及其形成方法,该方法包括压印底部封装件的焊球,其中在压印步骤之后,焊球的顶面变平。焊球模制在模制材料中。焊球的顶面通过模制材料中的沟槽露出。
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公开(公告)号:CN100477161C
公开(公告)日:2009-04-08
申请号:CN200610003591.3
申请日:2006-02-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/78 , H01L2224/0554 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/056 , H01L2224/13116 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明提供一种从一晶圆上切割一集成电路晶片的方法。先提供上面具有数个晶片以及数个切割线的该晶圆。该切割线具有至少一低介电常数层于其上。于该切割线上实施一切割制程。该切割制程至少包含有具有一高能能源的一切割步骤。该高能能源包含有激光。使用数个高铅含量或是无铅的锡铅凸块,贴附并电性连接该集成电路至一封装基底。本发明可以提高半导体晶片的良率,尤其是使用低介电常数材料与无铅封装材料的半导体晶片。
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公开(公告)号:CN101350322A
公开(公告)日:2009-01-21
申请号:CN200810095578.4
申请日:2008-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/563 , H01L23/49827 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2224/16225 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81801 , H01L2224/83192 , H01L2224/83194 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06572 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明提供一种封装及形成集成电路结构的方法,包括提供其表面上具有接合导体的晶圆,并涂抹混合底胶至晶圆的表面上。混合底胶包括底胶材料及助熔剂材料。在涂抹混合底胶的步骤后,将芯片接合至晶圆上,且使得芯片上的焊料凸块与接合导体连接。本发明能够减小接合在晶圆上的芯片间的距离,节省晶圆范围,并减少工艺时间。
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公开(公告)号:CN101373721B
公开(公告)日:2011-01-19
申请号:CN200810095579.9
申请日:2008-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/50
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/486 , H01L23/147 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L2221/68331 , H01L2221/68368 , H01L2221/68381 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/81005 , H01L2224/81193 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明提供一种集成电路结构的制造方法及内插板芯片的处理方法,该制造方法包括提供内插板晶片,将内插板晶片固定到工作晶片上,使内插板晶片的背面薄化,在薄化步骤之后,将工作晶片从内插板晶片移开,将内插板晶片固定到治具上,以及将芯片接合至内插板晶片上。本发明所提供的方法及设备有利于处理超薄内插板芯片。
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公开(公告)号:CN104051382B
公开(公告)日:2017-08-25
申请号:CN201310294054.9
申请日:2013-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/603
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/4853 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/1184 , H01L2224/11848 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明提供了层叠封装结构及其形成方法,该方法包括压印底部封装件的焊球,其中在压印步骤之后,焊球的顶面变平。焊球模制在模制材料中。焊球的顶面通过模制材料中的沟槽露出。
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公开(公告)号:CN101350322B
公开(公告)日:2011-04-06
申请号:CN200810095578.4
申请日:2008-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/563 , H01L23/49827 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2224/16225 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81801 , H01L2224/83192 , H01L2224/83194 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06572 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明提供一种封装及形成集成电路结构的方法,包括提供其表面上具有接合导体的晶圆,并涂抹混合底胶至晶圆的表面上。混合底胶包括底胶材料及助熔剂材料。在涂抹混合底胶的步骤后,将芯片接合至晶圆上,且使得芯片上的焊料凸块与接合导体连接。本发明能够减小接合在晶圆上的芯片间的距离,节省晶圆范围,并减少工艺时间。
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公开(公告)号:CN101609804A
公开(公告)日:2009-12-23
申请号:CN200810170436.X
申请日:2008-11-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L24/94 , H01L21/561 , H01L23/481 , H01L25/50 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/48
Abstract: 本发明涉及一种集成电路结构的形成方法,包括:提供一底部晶片,包括多个底部半导体芯片;提供多个上裸片,所述多个裸片接合至所述多个底部半导体芯片;形成一包围环于该底部晶片之上,且靠近该底部晶片的一外围;涂覆一保护材料以填充所述多个上裸片的间隙,其中该保护材料的上表面、所述多个上裸片的上表面与该包围环的上表面等高;形成一平坦介电层于所述多个上裸片与该保护材料之上;以及形成一导电特征于该平坦介电层中,其中该导电特征电性连接到所述多个上裸片与所述多个底部半导体芯片至少之一,且该导电特征的上表面与该平坦介电层的上表面等高。本发明可达到降低电阻、降低工艺成本以及改善可靠度的效果。
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公开(公告)号:CN103515258B
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:CN201210414205.5
申请日:2012-10-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L21/4825 , H01L21/4853 , H01L23/49811 , H01L24/11 , H01L24/742 , H01L24/78 , H01L2224/1134 , H01L2224/45144 , H01L2224/742 , H01L2224/78 , H01L2224/78301 , H01L2924/12042 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种任选地利用引线接合器通过形成一个或多个互连件并将该互连件装配在目标封装件上的装配焊盘上来装配半导体封装件的系统和方法。装配互连件可以包括超声波焊接互连件和装配焊盘,并且可以通过互连件端部上的装配节点来装配该互连件,其中,可以通过电火炬工艺形成该装配节点。任选地,可以使用激光或接触型修整系统将互连件修整成在一个或多个基本上一致的高度上,在修整过程中互连件的尾部可以受到支撑。可以将顶部封装件接合在互连件的修整过的端部上。在装配过程中,可以使用支撑板来支撑封装件,并且在装配互连件的过程中可以使用掩模。本发明还提供了一种形成一致的刚性互连结构的系统和方法。
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