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公开(公告)号:CN111128922A
公开(公告)日:2020-05-08
申请号:CN201910237621.4
申请日:2019-03-27
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/367 , H01L23/498 , H01L21/48
摘要: 一种电路板结构包括第一芯层、第一构成层及第二构成层。第一芯层具有第一表面及与第一表面相对的第二表面,其中第一芯层包括芯介电材料层及嵌入芯介电材料层内的至少一个图案化导电板,芯介电材料层包含第一子介电材料及第二子介电材料,且在第一子介电材料与第二子介电材料之间存在至少一个界面。第一构成层设置在第一芯层的第一表面上,且第二构成层设置在第一芯层的第二表面上。更公开一种包括所述电路板结构的半导体装置以及制作所述电路板结构的方法。通过设计具有至少一个导电板嵌入芯介电层中的电路板结构,可实现良好的散热性能。
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公开(公告)号:CN110660675A
公开(公告)日:2020-01-07
申请号:CN201910118207.1
申请日:2019-02-15
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要: 一种形成半导体装置的方法包括以下步骤。将已被测试且已知良好的半成品衬底配置在载体衬底上。将半成品衬底包封在第一包封体中,且将至少一个半导体管芯配置在半成品衬底上。将至少一个半导体管芯的至少一个半导体组件电耦合到半成品衬底,且将至少一个半导体管芯及第一包封体的一些部分封闭在第二包封体中。从半成品衬底移除载体衬底,且将多个外部触点结合到半成品衬底。
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公开(公告)号:CN109786268A
公开(公告)日:2019-05-21
申请号:CN201810691508.9
申请日:2018-06-28
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L21/56 , H01L23/528 , H01L23/31
摘要: 实施例方法包括:将半导体管芯密封在密封剂中,平坦化密封剂并且在密封剂上沉积聚合物材料。该方法还包括平坦化聚合物材料以及在聚合物材料上形成金属化图案。金属化图案将半导体管芯的管芯连接件电连接至设置在半导体管芯的外部的导电部件。本发明的实施例还涉及半导体封装件中的金属化图案及其形成方法。
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公开(公告)号:CN107611100A
公开(公告)日:2018-01-19
申请号:CN201610812256.1
申请日:2016-09-09
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/538 , H01L21/56
CPC分类号: H01L21/568 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L21/6836 , H01L23/28 , H01L23/31 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/3157 , H01L23/3185 , H01L23/49816 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L2221/68327 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/214 , H01L2224/24137 , H01L2924/14 , H01L2924/18162
摘要: 一种整合扇出型封装,其包括芯片模块、第二集成电路、第二绝缘包封体以及重布线路结构。芯片模块包括第一绝缘包封体以及嵌于第一绝缘包封体中的至少一第一集成电路,第一集成电路包括第一表面以及分布于第一表面上的多个第一导电端子。第二集成电路包括第二表面以及分布于第二表面上的多个第二导电端子。芯片模块与第二集成电路嵌于第二绝缘包封体中。第一导电端子以及第二导电端子藉由第一绝缘包封体以及第二绝缘包封体而暴露。重布线路结构覆盖第一表面、第二表面、第一绝缘包封体以及第二绝缘包封体。重布线路结构与第一导电端子以及第二导电端子电性连接。此外,整合扇出型封装的制造方法亦被提出。
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公开(公告)号:CN107180802A
公开(公告)日:2017-09-19
申请号:CN201710140025.5
申请日:2017-03-09
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/31 , H01L23/52 , H01L23/528
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L23/13 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/50 , H01L23/5385 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/043 , H01L25/0652 , H01L25/071 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73267 , H01L2224/81005 , H01L2224/81192 , H01L2224/92125 , H01L2224/9222 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06524 , H01L2225/06548 , H01L2225/06555 , H01L2225/06558 , H01L2225/06562 , H01L2225/06572 , H01L2225/06589 , H01L2924/1434 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311 , H01L2924/18162 , H01L2224/81 , H01L23/3121 , H01L23/5226 , H01L23/528
摘要: 本发明涉及一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法,其中该半导体装置包含:第一裸片,其包含信号垫区和电源垫区;重布线层RDL,其在所述第一裸片上方;多个第一连接件,其在所述RDL上方且在与所述第一裸片相对的所述RDL的一侧;多个第二连接件,其在所述RDL上方且在与所述第一裸片相对的所述侧;第二裸片,其包含信号垫区和电源垫区;其中所述第二裸片与所述第一裸片面对面且通过所述第一连接件和所述RDL电连接到所述第一裸片,其中所述第二裸片的中心相对于所述第一裸片的中心侧向偏移,以便将所述第一裸片的所述信号垫区对应于所述第二裸片的所述信号垫区。本发明还揭示一种用于制造所述半导体装置的相关联方法。
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公开(公告)号:CN104051382B
公开(公告)日:2017-08-25
申请号:CN201310294054.9
申请日:2013-07-12
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/603
CPC分类号: H01L25/50 , H01L21/4853 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/1184 , H01L2224/11848 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
摘要: 本发明提供了层叠封装结构及其形成方法,该方法包括压印底部封装件的焊球,其中在压印步骤之后,焊球的顶面变平。焊球模制在模制材料中。焊球的顶面通过模制材料中的沟槽露出。
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公开(公告)号:CN103811355B
公开(公告)日:2016-09-14
申请号:CN201310051231.0
申请日:2013-02-16
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号: H01L25/105 , H01L21/4853 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L23/3185 , H01L23/49811 , H01L23/49838 , H01L24/73 , H01L25/50 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/81192 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1023 , H01L2225/1041 , H01L2225/1052 , H01L2225/1058 , H01L2225/1088 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/18161 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要: 本文公开了具有模制底部填充物的叠层封装器件及其形成方法,该方法包括应用将管芯安装至载体封装件的第一侧的封装安装件。模制底部填充物可被应用在载体封装件的第一侧,并且与载体安装件的一部分和管芯侧壁的一部分接触。具有至少一个连接盘的顶部封装件可被安装至载体封装件的第一侧且位于管芯之上,并且可选地与管芯的顶面分离。可在应用模制底部填充物之前、期间或之后削平封装安装件,以可选地与底部填充物的表面齐平。与封装安装件接触的底部填充物区可位于与管芯侧壁接触的底部填充物区表面之下或之上。
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公开(公告)号:CN103378037B
公开(公告)日:2016-07-06
申请号:CN201210461253.X
申请日:2012-11-15
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号: H01L24/11 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L2224/02125 , H01L2224/02165 , H01L2224/02335 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/03464 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05024 , H01L2224/05027 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05562 , H01L2224/05567 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/1132 , H01L2224/1134 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/13026 , H01L2224/13076 , H01L2224/13078 , H01L2224/13082 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/1403 , H01L2224/14051 , H01L2224/14131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/06 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要: 用于焊料连接的方法和装置。一种装置包括在表面上具有导电终端的衬底;位于衬底的表面和导电终端的上方的钝化层;位于钝化层中的暴露出导电终端的一部分的开口;接合至开口中的导电终端并在垂直于衬底的表面的方向上延伸的至少一个柱形凸块;以及在开口中的导电终端上形成的并围绕所述至少一个柱形凸块的焊料连接件。本发明还公开了用于形成焊料连接的方法。
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公开(公告)号:CN105097567A
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201510427008.0
申请日:2009-06-18
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号: H01L23/49811 , H01L23/481 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/33 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/27416 , H01L2224/27436 , H01L2224/27848 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/75744 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2224/8321 , H01L2224/83856 , H01L2224/83862 , H01L2224/83986 , H01L2224/9205 , H01L2224/9211 , H01L2224/9221 , H01L2224/94 , H01L2224/95 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/00
摘要: 本发明公开一种制造半导体器件的方法,提供第一器件,所述第一器件包括第一穿透硅通孔(TSV)结构;在所述第一器件上方形成第一涂层材料,其中,所述第一涂层材料在所述第一器件上方连续地延伸并且覆盖所述第一穿透硅通孔结构;将第二器件设置在所述第一器件上方以及所述第一涂层材料内,其中,所述第二器件包括第二穿透硅通孔结构和多个导电凸点,设置所述第二器件包括所述多个导电凸点位于所述第一涂层材料内;在所述第二器件上方形成第二涂层材料;将第三器件设置在所述第二涂层材料上方;对所述第一涂层材料和所述第二涂层材料进行预处理;以及此后,同一处理中对所述第一涂层材料和所述第二涂层材料进行固化。
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公开(公告)号:CN102832188B
公开(公告)日:2015-06-10
申请号:CN201210078611.9
申请日:2012-03-22
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/488 , H01L23/31
CPC分类号: H01L24/05 , H01L23/3114 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/0401 , H01L2224/05012 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05556 , H01L2224/05558 , H01L2224/05559 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/1146 , H01L2224/11849 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/00014 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/3512 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要: 集成电路结构包括衬底和位于衬底上方的金属焊盘。钝化后互连(PPI)线连接至金属焊盘,其中,PPI线至少包括位于金属焊盘上方的部分。PPI焊盘连接至PPI线。聚合物层位于PPI线和PPI焊盘上方,其中,聚合物层具有大于约30μm的厚度。凸块下金属化层(UBM)延伸到聚合物层中的开口中并连接至PPI焊盘。本发明还提供了一种具有厚聚合物层的焊球保护结构。
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