Invention Publication
- Patent Title: 半导体小片的制造方法和场效应晶体管及其制造方法
- Patent Title (English): Method for producing semiconductor chip, and field effect transistor and method for manufacturing same
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Application No.: CN200780003085.7Application Date: 2007-01-12
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Publication No.: CN101371335APublication Date: 2009-02-18
- Inventor: 川岛孝启 , 斋藤彻 , 中川彻 , 鸟井秀雄
- Applicant: 松下电器产业株式会社
- Applicant Address: 日本大阪府
- Assignee: 松下电器产业株式会社
- Current Assignee: 株式会社日本有机雷特显示器
- Current Assignee Address: 日本大阪府
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 汪惠民
- Priority: 007064/2006 2006.01.16 JP; 038047/2006 2006.02.15 JP
- International Application: PCT/JP2007/050282 2007.01.12
- International Announcement: WO2007/083570 JA 2007.07.26
- Date entered country: 2008-07-14
- Main IPC: H01L21/02
- IPC: H01L21/02 ; H01L21/336 ; H01L27/12 ; H01L29/786

Abstract:
本发明提供一种半导体小片的制造方法和场效应晶体管及其制造方法。在用于制造半导体小片的本发明的方法中,首先,通过将牺牲层(11)和半导体层(12)以该顺序反复层叠在基板(10)上,在基板(10)上形成两层以上的半导体层(12)。接着,通过对牺牲层(11)和半导体层(12)的一部分进行蚀刻,将半导体层(12)分割成多个小片。接着,通过除去牺牲层(11),将该小片从基板分离。
Public/Granted literature
- CN100580877C 半导体小片的制造方法和场效应晶体管及其制造方法 Public/Granted day:2010-01-13
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IPC分类: