公开(公告)号：CN1260594A

公开(公告)日：2000-07-19

申请号：CN00100243.0

申请日：2000-01-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 斋藤彻 ,  神泽好彦 ,  片山幸治 ,  能泽克弥 ,  菅原岳 ,  久保实

IPC: H01L29/02 ,  H01L27/04 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  C30B29/02

CPC classification number: H01L29/165 ,  C30B23/02 ,  C30B29/68 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/155

Abstract: 交替地将不产生离散的量化能级的厚度薄的Si1-xGex层(0

公开(公告)号：CN1215931A

公开(公告)日：1999-05-05

申请号：CN98120475.9

申请日：1998-10-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上山智 ,  古井重雄 ,  宫永良子 ,  西川孝司 ,  斋藤彻 ,  佐佐井洋一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/145 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42

Abstract: 一种发光二极管装置及其制造方法,该装置包括活性层、P型接触层、肖特基电极和欧姆电极。活性层是在n型半导体基片板上形成的,而接触层是在活性层上形成的,肖特基电极是在接触层上有选择地形成的,与接触层进行肖特基接触。欧姆电极在接触层上的肖特基电极的边缘部分与肖特基电极进行电连接而形成,并透过由活性层发出的光。

公开(公告)号：CN1976869B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200680000344.6

申请日：2006-02-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川岛孝启 ,  斋藤彻 ,  美浓规央

IPC: B82B1/00 ,  H01L21/336 ,  B82B3/00 ,  H01L29/06 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/0048 ,  Y10S977/882

Abstract: 本发明涉及将碳纳米级管、半导体纳米级导线等的微细结构体排列到基板之上的方法、和具备基于该方法而配置的微细结构体的基板。该方法的发明包括：在基板(1)形成槽(2)的工序、向所述槽内滴下分散有微细结构体(3)的溶液(6)的工序、和使所述溶液蒸发而在所述槽内自组织排列所述微细结构体的工序。通过该发明的方法排列微细结构体的基板，能够用于场效应晶体管或传感器。

公开(公告)号：CN100487879C

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200580005184.X

申请日：2005-12-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 斋藤彻 ,  川岛孝启

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/938

Abstract: 本发明的纳米导线(100)，包括多个接触区域(10a、10b)和与多个接触区域(10a、10b)连接的至少一个沟道区域(12)。沟道区域(12)由第1半导体材料形成，沟道区域(12)的表面由在沟道区域(12)上选择性地形成的绝缘层覆盖。多个接触区域(10a、10b)分别由与所述沟道区域(12)的第1半导体材料不同的第2半导体材料形成。接触区域(12)的至少表面具有导电部分。

公开(公告)号：CN1215569C

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN00102992.4

申请日：2000-03-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 浅井明 ,  大西照人 ,  高木刚 ,  斋藤彻 ,  原义博 ,  幸康一郎 ,  能泽克弥 ,  神泽好彦 ,  片上幸治 ,  市川洋

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L21/763 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/7378

Abstract: 在硅基板100内，由浅沟槽103所夹的区域里形成集电极层102，在基板上沉积第一沉积氧化膜108并开一个跨越浅沟槽的一部分的集电极开口部110。在露出于该开口部的基板上，使Si/Si1-xGex层外延生长。在基板上沉积第二沉积氧化膜112，而在Si/Si1-xGex层的中央部上形成基极开口部118；在端部形成基极结用开口部114。从该开口部114往基板内注入杂质离子，以形成导电型与外部电极相同的结漏电流防止层113。这样，使集电极开口宽度W3大于活性区宽度W2。

公开(公告)号：CN1180483C

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：CN01800687.6

申请日：2001-03-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 斋藤彻 ,  神泽好彦 ,  能泽克弥 ,  久保实

IPC: H01L29/161 ,  H01L21/205 ,  H01L21/26 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/161 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/265

Abstract: 在Si衬底101上，利用UHV-CVD法，使B掺杂Si1-x-yGexCy层102(0＜x＜1，0.01≤y＜1)外延成长。此时，作为杂质(掺杂物)的硼(B)的原料气体采用B2H6来进行现场掺杂。然后，对Si1-x-yGexCy层102实施热处理，作为B掺杂Si1-x-yGexCy结晶层103。希望把热处理温度设定在700℃～1020℃的范围内，而且，最好把热处理温度设定在900℃～1000℃的范围内。

公开(公告)号：CN1169195C

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN01801731.2

申请日：2001-06-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 能泽克弥 ,  斋藤彻 ,  久保实 ,  神泽好彦

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/365 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种结构评价方法、半导体装置的制造方法和记录媒体，是在设定工艺条件的初始推定值并利用工艺模拟器进行半导体器件的要素的结构的推定之后，计算物理量测定值的预想值。并且，将通过光学的评价方法得到的半导体器件的要素的物理量的实测值与理论计算值相互进行比较，利用例如急速下降法等，求出测定的半导体器件的要素的更正确的结构。利用该结果可以修改其他半导体器件的要素的工艺的工艺条件。

公开(公告)号：CN1152438C

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN98120475.9

申请日：1998-10-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上山智 ,  古井重雄 ,  宫永良子 ,  西川孝司 ,  斋藤彻 ,  佐佐井洋一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/145 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42

Abstract: 一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管包括活性层、P型接触层、肖特基电极和欧姆电极。活性层是在n型半导体基片板上形成的，而接触层是在活性层上形成的，肖特基电极是在接触层上有选择地形成的，与接触层进行肖特基接触。欧姆电极在接触层上的肖特基电极的边缘部分与肖特基电极进行电连接而形成，并透过由活性层发出的光。

公开(公告)号：CN1364309A

公开(公告)日：2002-08-14

申请号：CN01800521.7

申请日：2001-03-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 神泽好彦 ,  能泽克弥 ,  斋藤彻 ,  久保实

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L29/1608 ,  C30B29/06 ,  C30B29/52 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165

Abstract: 对沉积了SeGeC晶体层8的Si衬底1进行热退火处理,从而在硅衬底1上形成退火SiGeC晶体层10,该退火SiGeC晶体层10由被晶格驰豫、且几乎没有位错的矩阵SiGeC晶体层7和分散在矩阵SeGeC晶体层7中的SiC微晶体6构成。然后,在退火SeGeC晶体层10上沉积Si晶体层,而形成很少有位错的应变Si晶体层4。

公开(公告)号：CN1260595A

公开(公告)日：2000-07-19

申请号：CN00100291.0

申请日：2000-01-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 幸康一郎 ,  斋藤彻 ,  久保实 ,  大仲清司 ,  浅井明 ,  片山幸治

IPC: H01L29/02 ,  H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2658 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法是在半导体基片上设置含C的下部Si间隙层118、i－Si1－yGey层119(0