公开(公告)号：CN103053026A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201180017713.3

申请日：2011-08-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岸田悠治 ,  林宏 ,  川岛孝启 ,  西田健一郎

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管器件以及薄膜晶体管器件的制造方法，本发明的薄膜晶体管器件（10）是底栅型的薄膜晶体管器件，具备：形成于基板（1）上的栅电极（2）；形成于栅电极上的栅极绝缘膜（3）；形成于栅极绝缘膜上、具有沟道区域的结晶硅薄膜（4）；形成于包含沟道区域的结晶硅薄膜上的非晶硅薄膜（5）；以及形成于非晶硅薄膜上方的源电极（8S）和漏电极（8D），非晶硅薄膜的光学带隙与薄膜晶体管器件的截止电流具有正的相关关系。

公开(公告)号：CN103329275A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201180065194.8

申请日：2011-11-17

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 林宏 ,  川岛孝启 ,  河内玄士朗

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/78678 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78636

Abstract: 形成在栅极绝缘膜（3）上的半导体层（4）的带隙能量为1.6eV以下。形成在半导体层（4）上的绝缘层（5）具有：配置在比第1接触开口部（8）更靠外侧的位置的第1绝缘层区域（5a）、和配置在比第2接触开口部（9）更靠外侧的位置的第2绝缘层区域（5b）。第1绝缘层区域（5a）配置在栅电极（2）的一端部的上方，第2绝缘层区域（5b）配置在栅电极（2）的另一端部的上方。

公开(公告)号：CN103189990A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201180004242.2

申请日：2011-10-28

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 林宏 ,  川岛孝启 ,  河内玄士朗

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66765

Abstract: 本发明的薄膜半导体器件(10)的制造方法，包括：第一工序，准备基板(1)；第二工序，在基板(1)上形成栅电极(2)；第三工序，在栅电极(2)上形成栅极绝缘膜(3)作为第一绝缘膜；第四工序，在栅极绝缘膜(3)上形成成为沟道层(4)的非晶半导体薄膜(4a)；第五工序，在非晶半导体薄膜(4a)上形成沟道保护膜(5)作为第二绝缘膜；第六工序，通过对沟道保护膜(5)照射光线，提高沟道保护膜(5)的透射率；以及第七工序，在沟道层(4)的上方形成源电极(7S)以及漏电极(7D)。

公开(公告)号：CN103003928A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201180004127.5

申请日：2011-06-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 尾田智彦 ,  川岛孝启

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供一种薄膜半导体器件的制造方法、薄膜半导体阵列基板的制造方法、结晶硅薄膜的形成方法以及结晶硅薄膜的形成装置，包括：准备基板(10)的工序；形成栅电极(11)的工序；形成栅极绝缘膜(12)的工序；形成源电极(19)和漏电极(20)的工序；形成硅薄膜(13)的工序；以及一边使激光对硅薄膜进行相对扫描，一边将激光照射到硅薄膜，使硅薄膜结晶化而形成结晶硅薄膜(15)的工序。激光为连续振荡型的激光，激光的强度分布在第一区域(R1)中为相对扫描方向的前方侧与后方侧对称的强度分布，在第二区域(R2)中为相对扫描方向的前方侧与后方侧非对称的强度分布。并且，在第二区域(R2)中，相对扫描方向的后方侧的激光强度分布的积分强度值(S2)大于相对扫描方向的前方侧的激光强度分布的积分强度值(S1)。

公开(公告)号：CN1922720A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200580005184.X

申请日：2005-12-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 斋藤彻 ,  川岛孝启

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/938

Abstract: 本发明的纳米导线(100)，包括多个接触区域(10a、10b)和与多个接触区域(10a、10b)连接的至少一个沟道区域(12)。沟道区域(12)由第1半导体材料形成，沟道区域(12)的表面由在沟道区域(12)上选择性地形成的绝缘层覆盖。多个接触区域(10a、10b)分别由与所述沟道区域(12)的第1半导体材料不同的第2半导体材料形成。接触区域(12)的至少表面具有导电部分。

公开(公告)号：CN103189970A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201180029746.X

申请日：2011-10-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 钟之江有宣 ,  川岛孝启

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/04 ,  G02F1/136213 ,  H01L21/77 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78633

Abstract: 薄膜半导体装置包括：具备遮光性的栅电极（51）、第1绝缘层（120）、沟道层（54）、第2绝缘层（131）、源电极（53）以及漏电极（52）的半导体元件部（50）；以及具备由透明导电性材料形成的第1电容电极（61）、电介质层（120）和第2电容电极（62）的电容部（60）；栅电极（51）、沟道层（54）以及第2绝缘层（131）层叠为俯视时外形轮廓线一致。

公开(公告)号：CN102959714A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201280001671.9

申请日：2012-03-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤荣一 ,  河内玄士朗 ,  川岛孝启

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/1248 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开一种用于显示装置的薄膜晶体管，其具备在绝缘性的支撑基板上形成的栅极电极、以覆盖栅极电极的方式形成在支撑基板上的栅极绝缘膜、在栅极绝缘膜上形成的由第一半导体层及第二半导体层构成的半导体层、在半导体层上形成的欧姆接触层、以及在欧姆接触层上以相互离开的方式形成的源极电极及漏极电极，并且在半导体层的沟道形成区域上设置由SOG(Spin on Glass)构成的蚀刻阻挡体。

公开(公告)号：CN100580877C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200780003085.7

申请日：2007-01-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川岛孝启 ,  斋藤彻 ,  中川彻 ,  鸟井秀雄

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种半导体小片的制造方法和场效应晶体管及其制造方法。在用于制造半导体小片的本发明的方法中，首先，通过将牺牲层(11)和半导体层(12)以该顺序反复层叠在基板(10)上，在基板(10)上形成两层以上的半导体层(12)。接着，通过对牺牲层(11)和半导体层(12)的一部分进行蚀刻，将半导体层(12)分割成多个小片。接着，通过除去牺牲层(11)，将该小片从基板分离。

公开(公告)号：CN100490180C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200580001762.2

申请日：2005-09-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川岛孝启 ,  斋藤彻 ,  高木刚

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78696 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78642 ,  Y10S977/938

Abstract: 本发明提供一种纵向场效应晶体管，具备：由使带电粒子移动的多个纳米线的束构成的活性区域(110)；与活性区域(110)的下端连接且作为源极区域和漏极区域的其中一方发挥功能的下部电极(120)；与活性区域(110)的上端连接且作为源极区域和漏极区域的另一方发挥功能的上部电极(130)；控制活性区域(110)的至少一部分的导电性的栅极(150)；以及，使栅极(150)与纳米线电绝缘的栅极绝缘膜。上部电极(130)，隔着电介质部(140)位于下部电极(120)之上，并具有从电介质部(140)的上面横向突出的突出部分(130a、130b)。由纳米线的束构成的活性区域(110)，配置在上部电极(130)的突出部分(130a、130b)的正下方。

公开(公告)号：CN103314444A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201280004416.X

申请日：2012-10-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 钟之江有宣 ,  川岛孝启

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/786 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696

Abstract: 薄膜半导体器件（100）具备：栅电极（120）、沟道层（140）、第1非晶半导体层（150）、沟道保护层（160）、在沟道层（140）的两侧面形成的一对第2非晶半导体层（171、172）、和经由第2非晶半导体层（171、172）与沟道层（140）的侧面接触的一对接触层（181、182），栅电极（120）、沟道层（140）、第1非晶半导体层（150）以及沟道保护层（160）层叠成俯视时外形轮廓线一致，第1非晶半导体层（150）的局部能级密度比第2非晶半导体层（171、172）的局部能级密度高，第2非晶半导体层（171、172）的带隙比第1非晶半导体层（150）的带隙大。