发明授权
- 专利标题： 等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法
- 专利标题（英）： Plasma processing apparatus and plasma etching method
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申请号： CN200910127092.9申请日： 2009-03-27
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公开(公告)号： CN101546685B公开(公告)日： 2013-05-22
- 发明人: 本田昌伸 , 增泽健二 , 中山博之 , 岩田学 , 佐藤学 , 成重和树
- 申请人： 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳
- 优先权： 2008-083042 2008.03.27 JP
- 主分类号： H01J37/32
- IPC分类号： H01J37/32 ; H05H1/46 ; H01L21/00 ; H01L21/3065
摘要：
本发明提供等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法，使得能够容易且自由地控制被处理基板上的电子密度或者工艺特性的分布特性。该电容耦合型等离子体处理装置在径方向上将上部电极分割成内侧上部电极(60)和外侧上部电极(62)这两个，从2个可变直流电源(80、82)将独立的第一和第二直流电压(VC、VE)同时施加在两个上部电极(60、62)上。通过适当选择这两个直流电压(VC、VE)的组合，能够在各种应用中提高等离子体工艺、蚀刻特性的均匀性。
公开/授权文献
- CN101546685A 等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法 公开/授权日：2009-09-30