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公开(公告)号：CN101546700B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200910129460.3
申请日：2009-03-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H05H1/24
CPC classification number: H01J37/32165 , H01J37/32091 , H01J37/32541
Abstract: 本发明提供能在处理空间与基板的周缘部的相对部分使电子密度上升的电极构造和基板处理装置。配置在对晶片(W)实施RIE处理的基板处理装置(10)所具备的处理室(11)内且在该处理室(11)内与载置在基座(12)上的晶片(W)相对的上部电极(31)包括：与载置在基座(12)上的晶片(W)的中心部相对的内侧电极(34)和与该晶片(W)周缘部相对的外侧电极(35)，内侧电极(34)连接第一直流电源(37)，外侧电极连接第二直流电源(38)，外侧电极具有与载置在基座(12)上的晶片(W)平行的第1二次电子发射面(35a)和相对该第1二次电子发射面(35a)向着晶片(W)倾斜的第2二次电子发射面(35b)。
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公开(公告)号：CN101515545B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200910009325.5
申请日：2009-02-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/00 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32165
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和方法，其等离子体处理的均匀性控制范围广且不易产生沉积引起的CD不均匀等副作用。等离子体处理装置具有相对配置在腔室内、由外侧电极和内侧电极构成的上部电极以及晶片支撑用的下部电极，下部电极与施加40MHz的第一高频电力的第一高频电源以及施加3.2MHz的第二高频电力的第二高频电源连接，外侧电极和内侧电极分别与施加直流电压的第一直流电压施加电路和第二直流电压施加电路连接，从等离子体生成空间一侧观察上部电极时的外侧电极的频率-阻抗特性为，随着施加给外侧电极的直流电压增加，在40MHz中阻抗减少，在3.2MHz中阻抗增加。
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公开(公告)号：CN101546685A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910127092.9
申请日：2009-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H05H1/46 , H01L21/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32027 , H01J37/32091
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法，使得能够容易且自由地控制被处理基板上的电子密度或者工艺特性的分布特性。该电容耦合型等离子体处理装置在径方向上将上部电极分割成内侧上部电极(60)和外侧上部电极(62)这两个，从2个可变直流电源(80、82)将独立的第一和第二直流电压(VC、VE)同时施加在两个上部电极(60、62)上。通过适当选择这两个直流电压(VC、VE)的组合，能够在各种应用中提高等离子体工艺、蚀刻特性的均匀性。
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公开(公告)号：CN101515545A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910009325.5
申请日：2009-02-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/00 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32165
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和方法，其等离子体处理的均匀性控制范围广且不易产生沉积引起的CD不均匀等副作用。等离子体处理装置具有相对配置在腔室内、由外侧电极和内侧电极构成的上部电极以及晶片支撑用的下部电极，下部电极与施加40MHz的第一高频电力的第一高频电源以及施加3.2MHz的第二高频电力的第二高频电源连接，外侧电极和内侧电极分别与施加直流电压的第一直流电压施加电路和第二直流电压施加电路连接，从等离子体生成空间一侧观察上部电极时的外侧电极的频率－阻抗特性为，随着施加给外侧电极的直流电压增加，在40MHz中阻抗减少，在3.2MHz中阻抗增加。
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公开(公告)号：CN102741996B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201080056197.0
申请日：2010-12-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 住友大阪水泥股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/6831 , H01J37/32642 , H01J2237/332 , H01J2237/338 , H01L21/67069 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67248
Abstract: 本发明提供一种静电卡盘装置，其由以下部件构成：静电卡盘部；环状的聚焦环部，设置成包围该静电卡盘部；和冷却基部，冷却该静电卡盘部和聚焦环部。聚焦环部包括环状的聚焦环、环状的导热片、环状的陶瓷环、非磁性体的加热器以及向该加热器供电的电极部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101546685B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN200910127092.9
申请日：2009-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H05H1/46 , H01L21/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32027 , H01J37/32091
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法，使得能够容易且自由地控制被处理基板上的电子密度或者工艺特性的分布特性。该电容耦合型等离子体处理装置在径方向上将上部电极分割成内侧上部电极(60)和外侧上部电极(62)这两个，从2个可变直流电源(80、82)将独立的第一和第二直流电压(VC、VE)同时施加在两个上部电极(60、62)上。通过适当选择这两个直流电压(VC、VE)的组合，能够在各种应用中提高等离子体工艺、蚀刻特性的均匀性。
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公开(公告)号：CN112017938B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202010441138.0
申请日：2020-05-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供对于以下情况有利的燕尾槽加工方法以及基板处理装置：在基板处理装置中，当使用切削工具加工收纳密封构件的燕尾槽时，抑制反应生成物在供切削工具插入的导入孔堆积。在利用设于形成基板处理装置的第一构件和第二构件之间的密封面的密封构件将基板处理装置的内部的处理区域和外部的外部区域之间屏蔽的密封面收纳密封构件的燕尾槽的加工方法具有以下工序：在密封面加工导入孔；将切削工具插入导入孔，该切削工具具备下方的顶端向外侧伸出的锥形状的切削刃，一边使切削工具向第一方向移动直到切削刃与导入孔的开口中的靠处理区域侧的端部抵接一边进行切削；使切削工具向与第一方向交叉的第二方向移动，沿密封面的长度方向加工燕尾槽。
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公开(公告)号：CN101546700A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910129460.3
申请日：2009-03-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H05H1/24
CPC classification number: H01J37/32165 , H01J37/32091 , H01J37/32541
Abstract: 本发明提供能在处理空间与基板的周缘部的相对部分使电子密度上升的电极构造和基板处理装置。配置在对晶片(W)实施RIE处理的基板处理装置(10)所具备的处理室(11)内且在该处理室(11)内与载置在基座(12)上的晶片(W)相对的上部电极(31)包括：与载置在基座(12)上的晶片(W)的中心部相对的内侧电极(34)和与该晶片(W)周缘部相对的外侧电极(35)，内侧电极(34)连接第一直流电源(37)，外侧电极连接第二直流电源(38)，外侧电极具有与载置在基座(12)上的晶片(W)平行的第1二次电子发射面(35a)和相对该第1二次电子发射面(35a)向着晶片(W)倾斜的第2二次电子发射面(35b)。
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公开(公告)号：CN119495545A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411075553.3
申请日：2024-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供调整构件、基板处理装置以及调整方法。提供容易地进行两个结构构件之间的间隔调整的方案。一种调整构件，其对两个结构构件之间的间隔进行调整，其中，该调整构件具有环状的主体，该主体具有第1中心，所述主体具有：内周面，其具有在周向上排列形成的多个内周凹部，多个所述内周凹部中的各个内周凹部由曲线构成；外周面，其自外侧包围所述内周面；以及多个间隔调整部，其具有位于与多个所述内周凹部中的各个内周凹部对应的所述外周面和多个所述内周凹部中的各个内周凹部之间的多个主体宽度，多个所述主体宽度具有互相不同的宽度。
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公开(公告)号：CN118299242A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311820708.7
申请日：2023-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供拍摄组件及其安装结构、基片处理装置和拍摄方法。拍摄组件经由设置在腔室的壁部的窗部对腔室内进行拍摄，包括：设置在拍摄方向前方的拍摄部，其具有接收来自腔室内的光的受光部；和收纳拍摄部的壳体，壳体包括：呈筒状的外侧壳体部；配置在外侧壳体部内侧的呈筒状的内侧壳体部，拍摄部被收纳在内侧壳体部内侧，受光部从内侧壳体部向拍摄方向前方伸出；和在外侧壳体部的拍摄方向前方与受光部相对地设置的壳体窗部，壳体窗部至少一部分具有透光性，在外侧壳体部与内侧壳体部之间、内侧壳体部与壳体窗部之间、以及壳体窗部与受光部之间分别形成有间隙，各间隙彼此连通，作为供对拍摄部进行冷却的冷却气体通过的气体流路的一部分发挥作用。
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