电子照相感光构件和电子照相设备
摘要:
本发明涉及电子照相感光构件和电子照相设备。在具有光导电层和设置于光导电层上的包括氢化非晶碳化硅的表面层的电子照相感光构件中,在该表面层中,碳原子原子数(C)与硅原子原子数(Si)和碳原子原子数(C)的总和之比C/(Si+C)为0.61以上至0.75以下,在该表面层中,硅原子的原子密度和碳原子的原子密度的总和为6.60×10 22 原子/cm 3 以上。
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