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公开(公告)号：CN102081314B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010568496.4
申请日：2010-11-26
申请人： 佳能株式会社
CPC分类号： G03G5/0433 , G03G5/0507 , G03G5/08242 , G03G5/14704
摘要： 本发明涉及电子照相感光构件和电子照相设备。本发明提供电子照相感光构件及配置其的电子照相设备，该电子照相感光构件包括：光导电层，在所述光导电层上由氢化非晶碳化硅构成的中间层，以及在所述中间层上由氢化非晶碳化硅构成的表面层，其中表面层中的比(C/(Si+C)；C2)为0.61至0.75，硅与碳的原子密度的和为6.60×1022原子/cm3以上，中间层中的比(C/(Si+C)；C1)以及硅与碳的原子密度的和(D1)分别从光导电层向表面层连续增加而不超过C2和D2，中间层具有其中C1为0.25至C2同时D1为5.50×1022原子/cm3至6.45×1022原子/cm3的连续区域，所述区域沿层厚度方向为150nm以上。
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公开(公告)号：CN103034084B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201210370748.1
申请日：2012-09-28
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： G03G15/00
CPC分类号： G03G15/75 , G03G15/0258
摘要： 本发明提供一种电子照相设备，其中即使该电子照相设备不具有电子照相感光构件用的加热器，也可以抑制图像浓度的不均匀。为此，在电子照相设备中配置电子照相感光构件以使得在圆筒轴方向上将电子照相感光构件等分成两个区域的情况下，两个区域中的感光构件特性的温度依赖性的绝对值不相同，并且在两个区域中将感光构件特性的温度依赖性的绝对值较小的区域定义为第一区域并将感光构件特性的温度依赖性的绝对值较大的区域定义为第二区域的情况下，在电子照相设备形成图像时，第一区域的表面温度的变化大于第二区域的表面温度的变化。
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公开(公告)号：CN103034084A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210370748.1
申请日：2012-09-28
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： G03G15/00
CPC分类号： G03G15/75 , G03G15/0258
摘要： 本发明提供一种电子照相设备，其中即使该电子照相设备不具有电子照相感光构件用的加热器，也可以抑制图像浓度的不均匀。为此，在电子照相设备中配置电子照相感光构件以使得在圆筒轴方向上将电子照相感光构件等分成两个区域的情况下，两个区域中的感光构件特性的温度依赖性的绝对值不相同，并且在两个区域中将感光构件特性的温度依赖性的绝对值较小的区域定义为第一区域并将感光构件特性的温度依赖性的绝对值较大的区域定义为第二区域的情况下，在电子照相设备形成图像时，第一区域的表面温度的变化大于第二区域的表面温度的变化。
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公开(公告)号：CN101634817B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200910161021.0
申请日：2009-07-27
申请人： 佳能株式会社
CPC分类号： G03G13/22 , G03G5/08235 , G03G5/144 , G03G5/14704
摘要： 本发明涉及电子照相感光构件和电子照相设备。在具有光导电层和设置于光导电层上的包括氢化非晶碳化硅的表面层的电子照相感光构件中，在该表面层中，碳原子原子数(C)与硅原子原子数(Si)和碳原子原子数(C)的总和之比C/(Si+C)为0.61以上至0.75以下，在该表面层中，硅原子的原子密度和碳原子的原子密度的总和为6.60×1022原子/cm3以上。
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公开(公告)号：CN102081314A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010568496.4
申请日：2010-11-26
申请人： 佳能株式会社
CPC分类号： G03G5/0433 , G03G5/0507 , G03G5/08242 , G03G5/14704
摘要： 本发明涉及电子照相感光构件和电子照相设备。本发明提供电子照相感光构件及配置其的电子照相设备，该电子照相感光构件包括：光导电层，在所述光导电层上由氢化非晶碳化硅构成的中间层，以及在所述中间层上由氢化非晶碳化硅构成的表面层，其中表面层中的比(C/(Si+C)；C2)为0.61至0.75，硅与碳的原子密度的和为6.60×1022原子/cm3以上，中间层中的比(C/(Si+C)；C1)以及硅与碳的原子密度的和(D1)分别从光导电层向表面层连续增加而不超过C2和D2，中间层具有其中C1为0.25至C2同时D1为5.50×1022原子/cm3至6.45×1022原子/cm3的连续区域，所述区域沿层厚度方向为150nm以上。
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公开(公告)号：CN102063027B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010548172.4
申请日：2010-11-16
申请人： 佳能株式会社
CPC分类号： G03G5/08235 , G03G5/0433 , G03G5/144 , G03G5/14704
摘要： 本发明涉及电子照相感光构件和电子照相设备。本发明提供：电子照相感光构件和具有该电子照相感光构件的电子照相设备，所述电子照相感光构件具有光导电层、中间层和表面层，其中当所述表面层中的Si+C原子密度由DS×1022原子/cm3表示时，该DS为6.60以上，和当在所述光导电层中沿层厚度方向氢量分布中H/(Si+H)的最大值由HPmax表示，第二光导电区域中H/(Si+H)的平均值由HP2表示时，DS和HP2满足下列表达式(1)以及DS和HPmax满足下列表达式(2)：HP2≥0.07×DS-0.38...表达式(1)HPmax≤-0.04×DS+0.60...表达式(2)。
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公开(公告)号：CN102063027A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010548172.4
申请日：2010-11-16
申请人： 佳能株式会社
CPC分类号： G03G5/08235 , G03G5/0433 , G03G5/144 , G03G5/14704
摘要： 本发明涉及电子照相感光构件和电子照相设备。本发明提供：电子照相感光构件和具有该电子照相感光构件的电子照相设备，所述电子照相感光构件具有光导电层、中间层和表面层，其中当所述表面层中的Si+C原子密度由DS×1022原子/cm3表示时，该DS为6.60以上，和当在所述光导电层中沿层厚度方向氢量分布中H/(Si+H)的最大值由HPmax表示，第二光导电区域中H/(Si+H)的平均值由HP2表示时，DS和HP2满足下列表达式(1)以及DS和HPmax满足下列表达式(2)：HP2≥0.07×DS-0.38...表达式(1)HPmax≤-0.04×DS+0.60...表达式(2)。
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公开(公告)号：CN101634817A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910161021.0
申请日：2009-07-27
申请人： 佳能株式会社
CPC分类号： G03G13/22 , G03G5/08235 , G03G5/144 , G03G5/14704
摘要： 本发明涉及电子照相感光构件和电子照相设备。在具有光导电层和设置于光导电层上的包括氢化非晶碳化硅的表面层的电子照相感光构件中，在该表面层中，碳原子原子数(C)与硅原子原子数(Si)和碳原子原子数(C)的总和之比C/(Si+C)为0.61以上至0.75以下，在该表面层中，硅原子的原子密度和碳原子的原子密度的总和为6.60×10 22 原子/cm 3 以上。
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