Invention Grant
CN101668701B 金属硅的精制方法和硅块的制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 金属硅的精制方法和硅块的制造方法
-
Application No.: CN200880014009.0Application Date: 2008-06-24
-
Publication No.: CN101668701BPublication Date: 2011-12-07
- Inventor: 神山游马 , 本田和义 , 筱川泰治 , 八木弘雅 , 柳智文 , 别所邦彦
- Applicant: 松下电器产业株式会社
- Applicant Address: 日本大阪府
- Assignee: 松下电器产业株式会社
- Current Assignee: 松下电器产业株式会社
- Current Assignee Address: 日本大阪府
- Agency: 永新专利商标代理有限公司
- Agent 陈建全
- Priority: 167135/2007 2007.06.26 JP
- International Application: PCT/JP2008/001627 2008.06.24
- International Announcement: WO2009/001547 JA 2008.12.31
- Date entered country: 2009-10-28
- Main IPC: C01B33/037
- IPC: C01B33/037 ; C23C14/14 ; C23C14/24
Abstract:
一种金属硅的精制方法，其中准备金属硅，该金属硅含有1000ppm～10000ppm的重量比的铝且硅的浓度为98重量％～99.9重量％；和在压力为100Pa～1000Pa的惰性气氛中将所述金属硅加热到1500℃～1600℃并保持一定时间。
Public/Granted literature
- CN101668701A 金属硅的精制方法和硅块的制造方法 Public/Granted day:2010-03-10
Information query
