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公开(公告)号：CN102471868B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201080027832.2
申请日：2010-07-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C14/246 , C01B33/02 , C23C14/14
Abstract: 本发明提供一种薄膜制造方法及能够用于其方法的硅材料。以在基板(21)上形成薄膜的方式，使从蒸发源(9)飞来的粒子以真空中的规定成膜位置(33)在基板(21)上堆积。在使含有薄膜的原料的棒状材料(32)在蒸发源(9)的上方熔解的同时，将熔解的材料以液滴(14)的形式向蒸发源(9)供给。作为棒状材料(32)，使用棒状硅材料，所述棒状硅材料，从垂直于材料(32)的长轴方向的截面的中心向外周部，在长度90％的位置上存在多个分别被晶界包围的第一区域，多个第一区域的长径的面积加权平均值为200μm以下，且从中心向外周部，在长度50％的位置上存在多个分别被晶界包围的第二区域，多个第二区域的长径的面积加权平均值为1000μm。
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公开(公告)号：CN102131599B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN200980132604.9
申请日：2009-10-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供可以反复使用和在凝固时膨胀的铸棒的制造效率和成品率提高的铸棒形成用铸模、使用该铸模的铸造装置以及用于高效率地制造上述铸棒的铸棒制造方法。作为铸棒形成用的铸模(10)，使用下述铸模，该铸模具备模块组件(12)和紧固单元(18～21)，该模块组件(12)并列排列有多个模块(14)，具有多个沿纵向(16)延伸的型腔(26)，该紧固单元(18～21)在与纵向(16)正交的方向紧固模块组件(12)。在该铸模10中，多个模块(14)分别具有1处以上的形成型腔(26)的周面的一部分的型腔形成部(28)，型腔(26)通过2个以上的模块(14)的组合来形成，多个模块(14)中的至少一个模块具有2处以上的型腔形成部(28)。
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公开(公告)号：CN102378826A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201080014488.3
申请日：2010-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/541
Abstract: 在使用气体冷却的成膜方法中，一边实现充分的冷却效果一边避免因气体导入导致成膜率下降和/或对真空泵施加过大的载荷。本发明的薄膜形成装置，具备：在薄膜形成区域(9)具有与基板(7)的背面接近的冷却面(10s)的冷却体(10)；以及向冷却面(10s)和基板(7)的背面之间导入气体的气体导入单元，冷却面在基板的宽度方向剖面中具有中央部比两端部向基板7的背面突出的形状。优选的是，冷却面具有在基板的宽度方向剖面中左右对称的形状，更优选地，具有由悬垂曲线表示的形状。
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公开(公告)号：CN101849033A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200880114890.1
申请日：2008-11-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/56 , C23C14/24 , C23C16/455 , C23C16/54
CPC classification number: C23C14/541 , C23C14/562 , C23C16/463 , C23C16/466 , C23C16/52 , C23C16/545
Abstract: 本发明提供能够均匀且充分地冷却基板的薄膜形成装置和薄膜形成的方法。本发明的薄膜形成装置在真空中、在长条的基板上形成薄膜，该薄膜形成装置包括：在开口部(31)接近搬送中的基板背面配置的冷却体(1)、向冷却体(1)与基板(21)之间导入气体的气体导入部件、在开口部(31)对移动中的基板的宽度方向两端附近进行约束的基板约束部件(3)。
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公开(公告)号：CN109155442B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201780032592.7
申请日：2017-05-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01M10/0585 , H01M10/04 , H01M10/052
Abstract: 二次电池具有电极体，该电极体包括：电极组，其为多个，各电极组分别含有多个正极、多个负极以及至少1个隔膜，各正极和各负极隔着隔膜交替地层叠在一起；以及金属板，其为至少1个，配置于各电极组之间。配置于各电极组的两端的电极是负极。以与构成至少1个电极组的负极的复合材料层接触并且不与除该复合材料层以外的导电性构件接触的状态设置金属板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102016103B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN200980105248.1
申请日：2009-02-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/042 , C23C14/30
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成方法，该方法是通过在真空中将从成膜源(27)飞来的粒子堆积在衬底(21)上而形成薄膜的方法。具体而言，以由在成膜源(27)与衬底(21)之间设定有运行路径的去路与返路的可动式的环形带(11)限定衬底(21)的表面的成膜区域(DA)的方式在成膜源(27)与衬底(21)之间配置环形带(11)的状态下，将粒子堆积在衬底(21)上。衬底(21)典型地为具有挠性的长条衬底。从卷出辊(23)向卷取辊(26)将粒子堆积在输送中的衬底(21)上。
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公开(公告)号：CN102016103A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980105248.1
申请日：2009-02-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/042 , C23C14/30
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成方法，该方法是通过在真空中将从成膜源(27)飞来的粒子堆积在衬底(21)上而形成薄膜的方法。具体而言，以由在成膜源(27)与衬底(21)之间设定有运行路径的去路与返路的可动式的环形带(11)限定衬底(21)的表面的成膜区域(DA)的方式在成膜源(27)与衬底(21)之间配置环形带(11)的状态下，将粒子堆积在衬底(21)上。衬底(21)典型地为具有挠性的长条衬底。从卷出辊(23)向卷取辊(26)将粒子堆积在输送中的衬底(21)上。
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公开(公告)号：CN101889103A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200880119323.5
申请日：2008-11-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/541 , C23C14/562 , G11B5/85
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置和薄膜形成方法。在使用气体冷却的成膜方法中，达成充分的冷却效果，并且避免气体导入引起的成膜率的降低和对真空泵的过大的负荷。本发明的薄膜形成装置包括在薄膜形成区域(14)中接近基板(7)的背面配置的冷却体(10)；将气体向冷却体(10)与基板(7)的背面之间导入的气体导入机构；接近基板(7)的背面，将薄膜形成区域(14)分割为第一薄膜形成区域(14a)和成膜速度比第一薄膜形成区域(14a)低的第二薄膜形成区域(14b)，且维持冷却体(10)与基板(7)的间隙的间隙维持机构(11)。冷却条件被设定为第一区域(14a)的冷却量比第二区域(14b)的冷却量大。
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公开(公告)号：CN101668701A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200880014009.0
申请日：2008-06-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C01B33/037 , C23C14/14 , C23C14/24
CPC classification number: C01B33/037
Abstract: 一种金属硅的精制方法，其中准备金属硅，该金属硅含有1000ppm～10000ppm的重量比的铝且硅的浓度为98重量％～99.9重量％；和在压力为100Pa～1000Pa的惰性气氛中在1500℃～1600℃下加热所述金属硅并保持一定时间。
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公开(公告)号：CN111033857A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880054170.4
申请日：2018-11-02
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 三洋电机株式会社
IPC: H01M10/052 , H01M2/26 , H01M4/13 , H01M4/66
Abstract: 电池具备包含正极和负极的电极体。正极具有：正极芯体；正极活性物质层，其形成于正极芯体的表面；以及正极极耳部，其具备在表面未形成正极活性物质层的芯体暴露部。在正极活性物质层的端部处，正极活性物质层具备缺口。缺口的外缘包含正极极耳部与正极活性物质层相接的分界的端部。
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