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公开(公告)号：CN101849033A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200880114890.1
申请日：2008-11-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/56 , C23C14/24 , C23C16/455 , C23C16/54
CPC classification number: C23C14/541 , C23C14/562 , C23C16/463 , C23C16/466 , C23C16/52 , C23C16/545
Abstract: 本发明提供能够均匀且充分地冷却基板的薄膜形成装置和薄膜形成的方法。本发明的薄膜形成装置在真空中、在长条的基板上形成薄膜，该薄膜形成装置包括：在开口部(31)接近搬送中的基板背面配置的冷却体(1)、向冷却体(1)与基板(21)之间导入气体的气体导入部件、在开口部(31)对移动中的基板的宽度方向两端附近进行约束的基板约束部件(3)。
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公开(公告)号：CN101542008A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000483.8
申请日：2008-03-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/02 , C23C14/226 , H01M4/0421 , H01M4/1395 , H01M10/052
Abstract: 本发明提供一种蒸镀装置，是通过在腔室(2)内以卷轴到卷轴的方式使片状的基板(4)移动，由此在基板(4)上连续形成蒸镀膜的蒸镀装置(100)，具有：使蒸镀原料蒸发的蒸发源(9)；包括卷绕保持基板(4)的第1及第2卷轴(3、8)和对基板(4)进行引导的引导部的输送部；配置在上述能够蒸镀的区域的、形成来自蒸发源(9)的蒸镀原料不能到达的遮蔽区域的遮蔽部，并且，蒸镀区域(60a～60d)包括按照使基板(4)的被蒸镀原料照射的面成为平面的方式输送基板(4)的平面输送区域，在除了遮蔽区域之外的能够蒸镀的区域中，按照使蒸镀材料不从基板(4)的法线方向入射到基板(4)的方式相对于蒸发源(9)配置输送部。
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公开(公告)号：CN101542008B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200880000483.8
申请日：2008-03-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/02 , C23C14/226 , H01M4/0421 , H01M4/1395 , H01M10/052
Abstract: 本发明提供一种蒸镀装置，是通过在腔室(2)内以卷轴到卷轴的方式使片状的基板(4)移动，由此在基板(4)上连续形成蒸镀膜的蒸镀装置(100)，具有：使蒸镀原料蒸发的蒸发源(9)；包括卷绕保持基板(4)的第1及第2卷轴(3、8)和对基板(4)进行引导的引导部的输送部；配置在上述能够蒸镀的区域的、形成来自蒸发源(9)的蒸镀原料不能到达的遮蔽区域的遮蔽部，并且，蒸镀区域(60a～60d)包括按照使基板(4)的被蒸镀原料照射的面成为平面的方式输送基板(4)的平面输送区域，在除了遮蔽区域之外的能够蒸镀的区域中，按照使蒸镀材料不从基板(4)的法线方向入射到基板(4)的方式相对于蒸发源(9)配置输送部。
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公开(公告)号：CN101889103A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200880119323.5
申请日：2008-11-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/541 , C23C14/562 , G11B5/85
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置和薄膜形成方法。在使用气体冷却的成膜方法中，达成充分的冷却效果，并且避免气体导入引起的成膜率的降低和对真空泵的过大的负荷。本发明的薄膜形成装置包括在薄膜形成区域(14)中接近基板(7)的背面配置的冷却体(10)；将气体向冷却体(10)与基板(7)的背面之间导入的气体导入机构；接近基板(7)的背面，将薄膜形成区域(14)分割为第一薄膜形成区域(14a)和成膜速度比第一薄膜形成区域(14a)低的第二薄膜形成区域(14b)，且维持冷却体(10)与基板(7)的间隙的间隙维持机构(11)。冷却条件被设定为第一区域(14a)的冷却量比第二区域(14b)的冷却量大。
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公开(公告)号：CN101668701A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200880014009.0
申请日：2008-06-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C01B33/037 , C23C14/14 , C23C14/24
CPC classification number: C01B33/037
Abstract: 一种金属硅的精制方法，其中准备金属硅，该金属硅含有1000ppm～10000ppm的重量比的铝且硅的浓度为98重量％～99.9重量％；和在压力为100Pa～1000Pa的惰性气氛中在1500℃～1600℃下加热所述金属硅并保持一定时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101946021B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200980105706.1
申请日：2009-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/24 , C23C14/541 , C23C16/466
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置。该薄膜形成装置(100)具有：真空槽(1)；设置在真空槽(1)内并向面对成膜源(27)的规定成膜位置(4)供给长条的衬底(8)的衬底输送机构(40)；环形带(10)，其能够与由衬底输送机构(40)进行的衬底(8)的供给相对应地运行，并以在直线输送中的衬底(8)的表面上形成薄膜的方式沿着环形带(10)自身的外周面限定成膜位置(4)处的衬底(8)的输送路径；形成在环形带(10)上的贯通孔(16)；衬底冷却单元(30)，其从运行中的环形带(10)的内周侧通过贯通孔(16)向环形带(10)和衬底(8)的背面之间导入冷却气体。
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公开(公告)号：CN101889103B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200880119323.5
申请日：2008-11-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/541 , C23C14/562 , G11B5/85
Abstract: 本发明的提供一种薄膜形成装置和薄膜形成方法。在使用气体冷却的成膜方法中，达成充分的冷却效果，并且避免气体导入引起的成膜率的降低和对真空泵的过大的负荷。本发明的薄膜形成装置包括在薄膜形成区域(14)中接近基板(7)的背面配置的冷却体(10)；将气体向冷却体(10)与基板(7)的背面之间导入的气体导入机构；接近基板(7)的背面，将薄膜形成区域(14)分割为第一薄膜形成区域(14a)和成膜速度比第一薄膜形成区域(14a)低的第二薄膜形成区域(14b)，且维持冷却体(10)与基板(7)的间隙的间隙维持机构(11)。冷却条件被设定为第一区域(14a)的冷却量比第二区域(14b)的冷却量大。
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公开(公告)号：CN101668701B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200880014009.0
申请日：2008-06-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C01B33/037 , C23C14/14 , C23C14/24
CPC classification number: C01B33/037
Abstract: 一种金属硅的精制方法，其中准备金属硅，该金属硅含有1000ppm～10000ppm的重量比的铝且硅的浓度为98重量％～99.9重量％；和在压力为100Pa～1000Pa的惰性气氛中将所述金属硅加热到1500℃～1600℃并保持一定时间。
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公开(公告)号：CN102224620A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201080003312.8
申请日：2010-01-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01M4/139 , H01G9/058 , H01M4/13 , H01M4/134 , H01M4/1395
CPC classification number: H01M4/485 , H01G11/28 , H01G11/50 , H01G11/70 , H01G11/86 , H01M4/0421 , H01M4/134 , H01M4/1395 , Y02E60/13 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供电化学元件用电极的制造方法、电化学元件用电极和电化学元件，其涉及制造电化学元件用电极，能够提供容易且可靠地除去在真空中生成的、活性物质层表面的突起物的方法。在电化学元件用电极的制造中，进行在集电体上通过真空处理形成能够吸藏和放出锂的活性物质层的第一工序；使上述活性物质层吸藏锂的第二工序；和将上述吸藏了锂的活性物质层表面的突起物除去的第三工序。
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公开(公告)号：CN101821422B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200880110929.2
申请日：2008-09-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/246 , B22D11/10 , B22D11/143 , C23C14/30 , C23C14/562
Abstract: 本发明提供能够以低成本进行成膜的成膜方法和成膜装置。本发明的成膜方法包括：(i)将薄膜的固体原料(51)熔融，形成熔融液，使该熔融液(51a)凝固，形成棒状体(51b)，将该棒状体(51b)拉出的工序；(ii)使棒状体(51b)的一部分熔融，向熔融液(蒸发源)(51d)供给的工序；和(iii)使用熔融液(蒸发源)(51d)形成薄膜的工序。并且，工序(i)、(ii)和(iii)在真空中进行。
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