发明公开
- 专利标题： 半导体基板及半导体装置
- 专利标题（英）： Semiconductor substrate and semiconductor device
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申请号： CN200880110286.1申请日： 2008-10-06
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公开(公告)号： CN101816060A公开(公告)日： 2010-08-25
- 发明人: 大见忠弘 , 寺本章伸 , 诹访智之 , 黑田理人 , 工藤秀雄 , 速水善范
- 申请人： 国立大学法人东北大学 , 信越半导体株式会社
- 申请人地址： 日本国宫城县
- 专利权人： 国立大学法人东北大学,信越半导体株式会社
- 当前专利权人： 国立大学法人东北大学,信越半导体株式会社
- 当前专利权人地址： 日本国宫城县
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 李贵亮
- 优先权： 2007-261096 2007.10.04 JP
- 国际申请： PCT/JP2008/068183 2008.10.06
- 国际公布： WO2009/044917 JA 2009.04.09
- 进入国家日期： 2010-04-02
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/324 ; H01L29/78
摘要：
本发明提供一种半导体基板及半导体装置，在半导体基板表面按原子台阶形成阶梯状的多个平台实质上沿同一方向形成。并且，使用该半导体基板，以在载流子移动方向(源极-漏极方向)不存在台阶的方式形成MOS晶体管。
公开/授权文献
- CN101816060B 半导体基板及半导体装置 公开/授权日：2012-01-11