公开(公告)号：CN101816060B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200880110286.1

申请日：2008-10-06

申请人： 国立大学法人东北大学 ,  信越半导体株式会社

发明人： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  诹访智之 ,  黑田理人 ,  工藤秀雄 ,  速水善范

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提供一种半导体基板及半导体装置，在半导体基板表面按原子台阶形成阶梯状的多个平台实质上沿同一方向形成。并且，使用该半导体基板，以在载流子移动方向(源极-漏极方向)不存在台阶的方式形成MOS晶体管。

公开(公告)号：CN101816060A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200880110286.1

申请日：2008-10-06

申请人： 国立大学法人东北大学 ,  信越半导体株式会社

发明人： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  诹访智之 ,  黑田理人 ,  工藤秀雄 ,  速水善范

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提供一种半导体基板及半导体装置，在半导体基板表面按原子台阶形成阶梯状的多个平台实质上沿同一方向形成。并且，使用该半导体基板，以在载流子移动方向(源极-漏极方向)不存在台阶的方式形成MOS晶体管。

公开(公告)号：CN110352474B

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN201780086342.1

申请日：2017-02-14

申请人： 东芝三菱电机产业系统株式会社 ,  国立大学法人东北大学

发明人： 西村真一 ,  渡边谦资 ,  山田义人 ,  寺本章伸 ,  诹访智之 ,  志波良信

IPC分类号： H01L21/318

摘要： 本发明的目的是提供能够在不对基板给予损害的情况下在基板上形成优质的氮化膜的氮化膜成膜方法。并且，本发明的氮化膜成膜方法包括：介由气体供给口(11)将硅烷系气体供给至处理室(10)内的步骤(a)；从自由基产生器(20)介由自由基气体通过口(25)将氮自由基气体(7)供给至处理室(10)内的步骤(b)；和在不使处理室(10)内产生等离子体现象的情况下，使上述步骤(a)中供给的硅烷系气体与上述步骤(b)中供给的氮自由基气体反应，在晶片(1)上形成氮化膜的步骤(c)。

公开(公告)号：CN102741977A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201180008182.1

申请日：2011-02-02

申请人： 国立大学法人东北大学

发明人： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  诹访智之

IPC分类号： H01L21/02 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/0201 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67757 ,  H01L29/34 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/78

摘要： 本发明为表面由单原子层的台阶形成有呈阶梯状的多个平台的硅晶片，在所述晶片中不存在滑移线。

公开(公告)号：CN103443910A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201280000929.3

申请日：2012-04-05

申请人： 国立大学法人东北大学

发明人： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  诹访智之

IPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67757 ,  H01L29/045

摘要： 本发明为表面由单原子层的台阶形成有呈阶梯状的多个平台的硅晶片，在所述晶片中不存在滑移线。

公开(公告)号：CN109468613A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811000943.9

申请日：2018-08-30

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

发明人： 清水亮 ,  石井胜利 ,  寺本章伸 ,  诹访智之 ,  志波良信

IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/48

摘要： 本发明涉及成膜装置以及成膜方法，提供抑制对晶片的损伤，并以低温形成高品质的氮化硅膜的技术。当对在处理容器(1)内载置的晶片W供给Si2H6气体和NH3气体来形成SiN膜时，针对NH3气体，进行在与Si2H6气体反应前照射紫外线的远程紫外线照射，并供给至处理容器1内。因此，能够利用活化的NH3气体和Si2H6气体在较低的加热温度下在晶片W形成高品质的氮化硅膜。而且，由于设为对向处理容器1内导入前的NH3气体照射紫外线的远程紫外线处理，所以能够不对晶片W照射紫外线并抑制晶片W的损伤。