- 专利标题: 磁阻器件、包括该磁阻器件的信息存储装置及其操作方法
- 专利标题(英): Magneto-resistive devices, information storage devices including the same and methods of operating information storage devices
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申请号: CN201010246856.9申请日: 2010-08-04
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公开(公告)号: CN102044255B公开(公告)日: 2015-02-11
- 发明人: 裵智莹 , 李成喆 , 徐顺爱 , 曹永真 , 皮雄焕 , 许镇盛
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 张波
- 优先权: 97736/09 2009.10.14 KR
- 主分类号: G11B5/39
- IPC分类号: G11B5/39 ; G11B5/62 ; H01L43/08
摘要:
本发明提供了一种磁阻器件、包括该磁阻器件的信息存储装置及其操作方法。信息存储装置包括磁轨道和磁畴壁移动单元。磁轨道具有多个磁畴以及在每对相邻磁畴之间的磁畴壁。磁畴壁移动单元构造为移动至少磁畴壁。信息存储装置还包括磁阻器件,该磁阻器件构造为读取记录在磁轨道上的信息。磁阻器件包括钉扎层、自由层以及布置在其间的分隔层。钉扎层具有固定的磁化方向。自由层设置在钉扎层与磁轨道之间,并具有易磁化轴,该易磁化轴不平行于钉扎层的磁化方向。
公开/授权文献
- CN102044255A 磁阻器件、包括该磁阻器件的信息存储装置及其操作方法 公开/授权日:2011-05-04
IPC分类: