公开(公告)号：CN110854198B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN201910438194.6

申请日：2019-05-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  李润姓 ,  赵常玹

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种逻辑开关器件及其制造方法。逻辑开关器件可以包括与栅电极相邻的畴转变层。畴转变层可以包括铁电材料区域和反铁电材料区域。畴转变层可以是非存储元件。逻辑开关器件可以包括沟道、都连接到沟道的源极和漏极、布置为面对沟道的栅电极、以及提供在沟道和栅电极之间的畴转变层。

公开(公告)号：CN118057934A

公开(公告)日：2024-05-21

申请号：CN202311486990.X

申请日：2023-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南胜杰 ,  许镇盛 ,  李泫宰 ,  崔德铉

IPC: H10B51/20

Abstract: 提供了一种三维(3D)铁电存储器件。3D铁电存储器件包括衬底、堆叠在衬底上的多个绝缘层、在所述多个绝缘层之间的多个栅电极、与所述多个栅电极接触的多个栅极绝缘层、与所述多个栅极绝缘层接触的多个中间电极、与所述多个中间电极和所述多个绝缘层接触的铁电层、以及与铁电层接触的沟道层。

公开(公告)号：CN116341631A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211611441.6

申请日：2022-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文泰欢 ,  许镇盛 ,  南胜杰 ,  裵鹤烈 ,  李泫宰

IPC: G06N3/063 ,  G11C11/22 ,  G06N3/0464

Abstract: 提供了一种神经网络设备，其包括在第一方向上延伸的多条字线、在与第一方向交叉的第二方向上延伸的多条位线、以及布置在多条字线和多条位线彼此交叉的点处的多个存储器单元。多个存储器单元中的每个存储器单元包括沿着与多个存储器单元中的每个存储器单元相对应的字线并联连接的至少两个铁电存储器。

公开(公告)号：CN115832029A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211134088.7

申请日：2022-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南胜杰 ,  李泫宰 ,  崔悳铉 ,  许镇盛

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一源极/漏极区；第二源极/漏极区；在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间的沟道；在沟道上的界面绝缘层；在界面绝缘层上的铁电层；以及在铁电层上的栅电极，其中，当界面绝缘层的介电常数的数值为K并且铁电层的剩余极化的数值为Pr时，界面绝缘层的材料和铁电层的材料被选择为使得K/Pr为1或更大。

公开(公告)号：CN114582967A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202111439345.3

申请日：2021-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔德铉 ,  许镇盛

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种萤石基材料薄膜，其包括：具有对称段和非对称段的正交晶体结构；以及至少两个具有不同的极化方向的畴。在畴之间的壁处不存在对称段，或者对称段中的至少两个是连续相邻的。还提供了包括具有正交晶体结构的萤石基材料薄膜的半导体器件。萤石基材料薄膜的极化方向被配置为通过对称段和非对称段之间的结构转变而改变。

公开(公告)号：CN112701157A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202011095367.8

申请日：2020-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵常玹 ,  李银河 ,  许镇盛 ,  金正华 ,  李香淑 ,  南胜杰

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L51/05 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了电子器件和制造其的方法和系统。该电子器件包括电介质层，该电介质层包括具有被对准的晶向的晶粒，该电介质层可以在基板和栅电极之间。电介质层可以在隔开的第一电极和第二电极之间。制造电子器件的方法可以包括：准备具有沟道层的基板；在沟道层上形成电介质层；以及在电介质层上形成栅电极。

公开(公告)号：CN106169511B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201610157055.2

申请日：2016-03-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  李基荣 ,  李相烨 ,  李殷奎 ,  李载昊 ,  朴晟准

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/06 ,  H01L31/101

Abstract: 示例实施方式涉及包括二维(2D)材料的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。一种半导体器件可以是包括至少一种掺杂的2D材料的光电器件。光电器件可以包括：第一电极；第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的半导体层。第一电极和第二电极中的至少一个可以包括掺杂的石墨烯。半导体层可以具有大于或等于大约0.1eV的内建电势，或者大于或等于大约0.3eV的内建电势。第一电极和第二电极中的其中之一可以包括p掺杂的石墨烯，另一个可以包括n掺杂的石墨烯。备选地，第一电极和第二电极中的其中之一可以包括p掺杂或n掺杂的石墨烯，另一个可以包括金属性材料。

公开(公告)号：CN104103671B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201410175362.4

申请日：2014-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  卞卿溵 ,  宋伣在 ,  朴晟准 ,  D·许 ,  禹轮成 ,  李东郁 ,  李载昊 ,  郑现钟 ,  许镇盛 ,  柳寅敬

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78684 ,  H01L31/028 ,  H01L31/08 ,  H01L33/34 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0504 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/0562 ,  H01L51/0566 ,  H01L51/057 ,  H01L51/428 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明提供石墨烯器件和包括石墨烯器件的电子设备。根据示例实施例，石墨烯器件包括：包括源极、栅极和漏极的晶体管；有源层，载流子通过其移动；以及在栅极和有源层之间的石墨烯层。石墨烯层可被配置为既作为有源层的电极又作为晶体管的沟道层。

公开(公告)号：CN102050442B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201010504291.X

申请日：2010-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹轮成 ,  戴维·徐 ,  徐顺爱 ,  郑现钟 ,  姜世拉 ,  许镇盛

IPC: C01B31/04

CPC classification number: C01B31/0453 ,  B01J23/755 ,  B01J37/347 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C01B2204/04 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明提供一种利用合金催化剂制造石墨烯的方法，该方法可以包括在衬底上形成包括镍的合金催化剂层以及通过将碳氢气体提供到合金催化剂层上来形成石墨烯层。合金催化剂层可以包括从由镍、铜、铂、铁和金构成的组中选出的至少两种。当制造石墨烯时，减少碳在Ni中的溶解性的催化剂金属可以在合金催化剂层中与Ni一起使用。可以调整碳被溶解的量，并且可以制造均匀的石墨烯单层。

公开(公告)号：CN102285660B

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201110164676.0

申请日：2011-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晟熏 ,  徐顺爱 ,  禹轮成 ,  郑现钟 ,  许镇盛

IPC: C01B35/00 ,  H01L29/167

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

Abstract: 提供被氮和硼代替的石墨烯、其制造方法及具有其的晶体管，该石墨烯包括碳(C)原子被硼(B)原子和氮(N)原子部分地代替的结构。该石墨烯具有带隙。被硼和氮代替的石墨烯可用作场效应晶体管的沟道。该石墨烯可通过使用环硼氮烷或氨硼烷作为氮化硼(B-N)前体进行化学气相沉积(CVD)方法形成。