侧包覆型过电流保护元件及其制造方法
Abstract:
本发明涉及侧包覆型过电流保护元件及其制造方法。所述的过电流保护元件包括PTC芯片、芯片二面的金属箔电极以及两个引出电极,其中,所述的PTC芯片侧面设有一层密闭的保护膜。制造方法是在压制成型的PTC芯片两面压合上金属箔电极形成复合芯片,复合芯片经过辐照,然后冲切成设计要求的小片,再在小片子两边焊接上镍片作为引出电极,最后将热收缩管套在PTC芯片四周,然后进行高温加热处理,在PTC芯片侧面上形成密闭的保护膜,得到所需的过电流保护元件。优点是:本发明在PTC芯片侧面上形成的密闭保护膜不仅保证具有很低的室温电阻,并且在高温储存条件下具有高的电气性能稳定性。
Patent Agency Ranking
0/0