发明公开
CN102081314A 电子照相感光构件和电子照相设备
失效 - 权利终止
- 专利标题: 电子照相感光构件和电子照相设备
- 专利标题(英): Electrophotographic photosensitive member and electrophotographic apparatus
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申请号: CN201010568496.4申请日: 2010-11-26
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公开(公告)号: CN102081314A公开(公告)日: 2011-06-01
- 发明人: 秋山和敬 , 小泽智仁 , 田泽大介 , 西村悠
- 申请人: 佳能株式会社
- 申请人地址: 日本东京都大田区下丸子3丁目30番2号
- 专利权人: 佳能株式会社
- 当前专利权人: 佳能株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都大田区下丸子3丁目30番2号
- 代理机构: 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理商 刘新宇
- 优先权: 2009-269345 2009.11.26 JP; 2010-253635 2010.11.12 JP
- 主分类号: G03G5/08
- IPC分类号: G03G5/08 ; G03G15/00 ; G03G15/02
摘要:
本发明涉及电子照相感光构件和电子照相设备。本发明提供电子照相感光构件及配置其的电子照相设备,该电子照相感光构件包括:光导电层,在所述光导电层上由氢化非晶碳化硅构成的中间层,以及在所述中间层上由氢化非晶碳化硅构成的表面层,其中表面层中的比(C/(Si+C);C2)为0.61至0.75,硅与碳的原子密度的和为6.60×1022原子/cm3以上,中间层中的比(C/(Si+C);C1)以及硅与碳的原子密度的和(D1)分别从光导电层向表面层连续增加而不超过C2和D2,中间层具有其中C1为0.25至C2同时D1为5.50×1022原子/cm3至6.45×1022原子/cm3的连续区域,所述区域沿层厚度方向为150nm以上。
公开/授权文献
- CN102081314B 电子照相感光构件和电子照相设备 公开/授权日:2012-10-10
IPC分类: