电子照相感光构件和电子照相设备
摘要:
本发明涉及电子照相感光构件和电子照相设备。本发明提供电子照相感光构件及配置其的电子照相设备,该电子照相感光构件包括:光导电层,在所述光导电层上由氢化非晶碳化硅构成的中间层,以及在所述中间层上由氢化非晶碳化硅构成的表面层,其中表面层中的比(C/(Si+C);C2)为0.61至0.75,硅与碳的原子密度的和为6.60×1022原子/cm3以上,中间层中的比(C/(Si+C);C1)以及硅与碳的原子密度的和(D1)分别从光导电层向表面层连续增加而不超过C2和D2,中间层具有其中C1为0.25至C2同时D1为5.50×1022原子/cm3至6.45×1022原子/cm3的连续区域,所述区域沿层厚度方向为150nm以上。
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