发明授权
- 专利标题： 等离子体处理装置和方法
- 专利标题（英）： Plasma processing device and method
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申请号： CN201110206162.7申请日： 2005-06-21
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公开(公告)号： CN102256431B公开(公告)日： 2014-09-17
- 发明人: 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
- 申请人： 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳
- 优先权： 2004-183093 2004.06.21 JP; 2005-013912 2005.01.21 JP; 2005-045095 2005.02.22 JP
- 分案原申请号： 2005800205180 2005.06.21
- 主分类号： H05H1/46
- IPC分类号： H05H1/46 ; H01L21/311
摘要：
本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述电极施加等离子体形成用的高频电力的第一高频电力施加单元；向所述电极施加第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述电极施加第三高频电力的第三高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元。
公开/授权文献
- CN102256431A 等离子体处理装置和方法 公开/授权日：2011-11-23