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公开(公告)号：CN119585852A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380053639.3
申请日：2023-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/68 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供掌握等离子体处理的状态的技术。等离子体处理方法在具有腔室和配置于腔室内的基片支承部的等离子体处理装置中，在腔室内生成等离子体来对基片执行等离子体处理，该等离子体处理方法包括：(a)步骤，将基片配置于基片支承部；(b)步骤，在腔室内生成等离子体来对位于基片支承部的基片执行等离子体处理；(c)步骤，获取关于在(b)步骤中在腔室内生成的等离子体与配置于基片支承部的基片之间产生的离子通量的数据；和(d)步骤，基于数据来检测等离子体处理的终点。
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公开(公告)号：CN103003924B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201180032082.2
申请日：2011-06-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01L21/3065 , H01L21/32136
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置及方法。利用分流器（44）将自共用气体源（41）供给的共用气体分支成两个系统，将分支成两个系统的共用气体导入至设于处理容器（2）的电介质窗（16）的中央的中央导入口58（55）和在基板（W）的上方沿周向排列的多个周边导入口（62）。将添加气体添加至分支成两个系统的共用气体之中的任一系统的共用气体。自基板（W）的下方的排气口（11a）对被导入至处理容器（2）内的共用气体和添加气体进行排气，将处理容器（2）内减压至规定的压力。使用具有多个缝隙（21）的缝隙天线（20）将微波导入至处理容器（2）内，多个周边导入口（62）所设置的区域的电子温度比中央导入口（58、55）所设置的区域的电子温度低。
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公开(公告)号：CN102473634A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080036920.9
申请日：2010-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/31116 , H01L21/32137
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。该等离子体处理装置提高了基板表面的等离子体处理的均匀性。该等离子体处理装置(1)用于使被导入到处理容器(2)中的处理气体等离子化来处理基板(W)，其中，被导入到收纳在处理容器(2)中的基板(W)的中心部的处理气体的导入量与被导入到收纳在处理容器(2)中的基板(W)的周边部的处理气体的导入量之比在等离子体处理过程中发生变化。采用本发明，能够减小基板(W)的中心部和周边部的蚀刻速率(ER)等的偏差。因此，基板(W)表面的等离子体处理的均匀性提高。
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公开(公告)号：CN102270577A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110206176.9
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置，在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。
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公开(公告)号：CN102256432A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110206223.X
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H05H1/46 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加等离子体形成用的高频电力的高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元，为了使由向所述第一电极施加的来自所述直流电源的直流电压产生的电流通过等离子体放出，在所述处理容器内设置有接地的导电性部件。
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公开(公告)号：CN102256431A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110206162.7
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H05H1/46 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述电极施加等离子体形成用的高频电力的第一高频电力施加单元；向所述电极施加第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述电极施加第三高频电力的第三高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元。
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公开(公告)号：CN101667532B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200910173129.1
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及等离子体处理方法及等离子体处理装置。在阴极耦合方式中，尽可能防止在阳极侧的电极上附加沉积膜而对后续工序造成影响，并尽量提高处理的均匀性。将被处理基板(W)载置在下部电极的基座(16)上，并由高频电源(30)施加等离子体生成用的高频。将在基座(16)的上方与它平行相对配置的上部电极(34)经由环状的绝缘体(35)在电气浮起的状态下安装在腔室(10内。在上部电极(34)的上面和腔室(10)的顶棚之间的空间(50)中设置电容可变的可变电容器(86)。根据处理条件由电容控制部(85)改变可变电容器(86)的电容，对上部电极(34)的接地电容进行切换。
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公开(公告)号：CN101667533B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200910173200.6
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及等离子体处理方法及等离子体处理装置。在阴极耦合方式中，尽可能防止在阳极侧的电极上附加沉积膜而对后续工序造成影响，并尽量提高处理的均匀性。将被处理基板(W)载置在下部电极的基座(16)上，并由高频电源(30)施加等离子体生成用的高频。将在基座(16)的上方与它平行相对配置的上部电极(34)经由环状的绝缘体(35)在电气浮起的状态下安装在腔室(10内。在上部电极(34)的上面和腔室(10)的顶棚之间的空间(50)中设置电容可变的可变电容器(86)。根据处理条件由电容控制部(85)改变可变电容器(86)的电容，对上部电极(34)的接地电容进行切换。
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公开(公告)号：CN101661863A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910175087.5
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32091 , H01J37/32165
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。根据本发明，在双频重叠施加方式的电容结合型中，充分地防止和控制在另外一方的相对电极上形成的不期望的膜，同时任意地控制等离子体的密度的空间的分布特性。在下部电极的基座(16)上载置被处理基板(W)，从高频电源(30)施加等离子体生成用的第一高频，施加来自高频电源(70)的离子引入用的第二高频。在基座(16)的上方与其平行地相对地配置的上部电极(34)通过环状的绝缘体(35)安装在腔室(10)内。上部电极(34)通过棒状的电感器(54)以及导线(56)连接到接地电位(通常是到腔室10中)。
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