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公开(公告)号：CN119173984A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202380039310.1
申请日：2023-05-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、高频电源和偏置电源系统。基片支承部包括能够在其上载置基片的中央区域，设置于腔室内。高频电源产生生成源高频电功率。偏置电源系统将第一和第二电偏置能量分别供给到第一电极和第二电极。第一电极至少设置于基片支承部的中央区域。第二电极设置于相对于中央区域的中心在径向上位于外侧的外侧区域。偏置电源系统调节第一电偏置能量和第二电偏置能量，以使得中央区域和外侧区域中的一个区域的上方的电场强度比另一个区域的上方的电场强度先变高。
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公开(公告)号：CN111886935B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN201980017588.2
申请日：2019-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供控制方法和等离子体处理装置。一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其包括：对上述第一电极供给偏置功率的步骤；和将具有比上述偏置功率高的频率的生成源功率供给到等离子体处理空间的步骤，上述生成源功率具有第一状态和第二状态，上述控制方法包括第一控制步骤，该第一控制步骤与基准电气状态的一周期内的相位同步地交替施加上述第一状态和上述第二状态，其中上述基准电气状态表示由上述偏置功率的供电系统测量出的电压、电流或电磁场的任一者。
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公开(公告)号：CN112242290B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202010640097.8
申请日：2020-07-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆水地盐
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 示例性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括在等离子体处理装置的腔室内准备基板的工序。基板在腔室内配置于基板支承器之上。基板支承器包括下部电极及静电卡盘。静电卡盘设置于下部电极之上。等离子体处理方法还包括为了进行相对于基板的等离子体处理而在腔室内已生成等离子体时，对导电性部件施加正极性电压的工序。导电性部件在相比基板更靠腔室的被接地的侧壁附近延伸。
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公开(公告)号：CN111383898B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201911325098.7
申请日：2019-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，涉及能够控制离子的撞击能量的技术，其包括：处理容器；在所述处理容器内载置被处理体的电极；对所述处理容器内供给等离子体的等离子体生成源；对所述电极供给所希望的波形的偏置功率的偏置电源；暴露于所述处理容器内的等离子体的零件；对所述零件供给所希望的波形的电压的电源；具有包含第1控制顺序的程序的存储介质，该第1控制顺序使所述电压周期性地反复具有第1电压值的第1状态和具有比所述第1电压值高的第2电压值的第2状态，在所述电极的电位的各周期内的部分期间施加所述第1电压值，以所述第1状态与所述第2状态连续的方式施加所述第2电压值；和能够执行所述存储介质的程序的控制部。
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公开(公告)号：CN111341637B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201911273989.2
申请日：2019-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够将具有所需离子能量的离子高效地供给至基片的等离子体处理装置。一个例示的实施方式的等离子体处理装置中，第1高频电源经由第1匹配器与设置于腔室内的基片支承台的下部电极连接。第1高频电源将偏置用的第1高频功率向下部电极供给。第2高频电源经由第2匹配器与负载连接。第2高频电源将等离子体生成用的第2高频功率向负载供给。第2匹配器的控制器为了减少第1高频功率的各周期内的被指定的部分期间中的来自第2高频电源的负载的反射，设定所述第2匹配器的匹配电路的阻抗。
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公开(公告)号：CN112017937B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202010423589.1
申请日：2020-05-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置。一示例性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括在等离子体处理装置的腔室内的等离子体生成过程中的第一期间，向设置于腔室内的基板支撑器的下部电极施加第一直流电压的工序。等离子体处理方法还包括在腔室内的等离子体生成过程中的与第一期间不同的第二期间向下部电极施加第二直流电压的工序。第二直流电压具有与第一直流电压的电平不同的电平。第二直流电压具有与第一直流电压的极性相同的极性。
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公开(公告)号：CN111430209B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202010023703.1
申请日：2020-01-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆水地盐
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够调整基板的边缘附近的等离子体密度和基板的比边缘靠内侧的区域上的等离子体密度的等离子体处理装置。在一个实施方式的等离子体处理装置中，具备腔室和基板支承器。基板支承器具有下部电极和静电卡盘。基板支承器在腔室内支承被载置在静电卡盘上的基板。边缘环以包围基板的边缘的方式配置。偏置电源经由第一电路径而与下部电极连接。与第一电路径及下部电极相分别的第二电路径被设置为从下部电极或第一电路径向边缘环供给偏置电力。
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公开(公告)号：CN117178349A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202280028882.5
申请日：2022-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆水地盐
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明公开的等离子体处理装置中，基片支承部具有基座和电介质部。基座包括基体部件和电极。基体部件由电介质或绝缘体形成。电极形成于基体部件的上表面。电极构成基座的上表面。电介质部提供能够在其上载置基片的支承面。电介质部从基座的上表面延伸至支承面，仅由电介质形成。偏置电源和吸盘电源与基座的电极电连接。
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公开(公告)号：CN116724669A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202280010797.6
申请日：2022-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明所公开的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、高频电源和偏置电源控制部。高频电源产生生成源高频功率以在腔室内生成等离子体。偏置电源对基片支承部的偏置电极周期性地施加具有波形周期的偏置能量。高频电源根据生成源高频功率的反射的程度的变化，来调整多个波形周期中的第m个波形周期内的第n个相位期间中的生成源高频功率的生成源频率。反射的程度的变化通过在第m个波形周期之前的两个以上的周期各自的第n个相位期间中使用彼此不同的生成源频率来确定。
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公开(公告)号：CN111029238B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201910958163.3
申请日：2019-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和控制方法。等离子体处理装置包括：处理容器；在处理容器内载置被处理体的电极；对处理容器内供给等离子体的等离子体生成源；对电极供给偏置功率的偏置电源；配置在被处理体的周缘的周边环；对周边环供给直流电压的直流电源；存储介质，其具有包含第一控制步骤的程序，其中该第一控制步骤中，直流电压周期性地反复具有第一电压值的第一状态和具有比第一电压值高的第二电压值的第二状态，在电极的电位的各周期内的部分期间中施加第一电压值，并以第一状态和第二状态连续的方式施加第二电压值；和执行存储介质的程序的控制部。本发明的目的在于提高被处理体的蚀刻形状的精度。
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