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公开(公告)号：CN112017937B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202010423589.1
申请日：2020-05-19
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置。一示例性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括在等离子体处理装置的腔室内的等离子体生成过程中的第一期间，向设置于腔室内的基板支撑器的下部电极施加第一直流电压的工序。等离子体处理方法还包括在腔室内的等离子体生成过程中的与第一期间不同的第二期间向下部电极施加第二直流电压的工序。第二直流电压具有与第一直流电压的电平不同的电平。第二直流电压具有与第一直流电压的极性相同的极性。
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公开(公告)号：CN111430209B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202010023703.1
申请日：2020-01-09
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 舆水地盐
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供一种能够调整基板的边缘附近的等离子体密度和基板的比边缘靠内侧的区域上的等离子体密度的等离子体处理装置。在一个实施方式的等离子体处理装置中，具备腔室和基板支承器。基板支承器具有下部电极和静电卡盘。基板支承器在腔室内支承被载置在静电卡盘上的基板。边缘环以包围基板的边缘的方式配置。偏置电源经由第一电路径而与下部电极连接。与第一电路径及下部电极相分别的第二电路径被设置为从下部电极或第一电路径向边缘环供给偏置电力。
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公开(公告)号：CN117178349A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202280028882.5
申请日：2022-03-31
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 舆水地盐
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 本发明公开的等离子体处理装置中，基片支承部具有基座和电介质部。基座包括基体部件和电极。基体部件由电介质或绝缘体形成。电极形成于基体部件的上表面。电极构成基座的上表面。电介质部提供能够在其上载置基片的支承面。电介质部从基座的上表面延伸至支承面，仅由电介质形成。偏置电源和吸盘电源与基座的电极电连接。
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公开(公告)号：CN116724669A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202280010797.6
申请日：2022-01-21
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H05H1/46
摘要： 本发明所公开的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、高频电源和偏置电源控制部。高频电源产生生成源高频功率以在腔室内生成等离子体。偏置电源对基片支承部的偏置电极周期性地施加具有波形周期的偏置能量。高频电源根据生成源高频功率的反射的程度的变化，来调整多个波形周期中的第m个波形周期内的第n个相位期间中的生成源高频功率的生成源频率。反射的程度的变化通过在第m个波形周期之前的两个以上的周期各自的第n个相位期间中使用彼此不同的生成源频率来确定。
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公开(公告)号：CN111029238B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201910958163.3
申请日：2019-10-10
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供等离子体处理装置和控制方法。等离子体处理装置包括：处理容器；在处理容器内载置被处理体的电极；对处理容器内供给等离子体的等离子体生成源；对电极供给偏置功率的偏置电源；配置在被处理体的周缘的周边环；对周边环供给直流电压的直流电源；存储介质，其具有包含第一控制步骤的程序，其中该第一控制步骤中，直流电压周期性地反复具有第一电压值的第一状态和具有比第一电压值高的第二电压值的第二状态，在电极的电位的各周期内的部分期间中施加第一电压值，并以第一状态和第二状态连续的方式施加第二电压值；和执行存储介质的程序的控制部。本发明的目的在于提高被处理体的蚀刻形状的精度。
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公开(公告)号：CN114388329A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111194324.X
申请日：2021-10-13
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 舆水地盐
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置，能够提高等离子体的面内均匀性。等离子体处理装置具有腔室、第一下部电极、第二下部电极、第一上部电极、第二上部电极以及第一电源。第一下部电极设置于腔室的内部，所述第一下部电极具有用于载置基板的基板载置区域。第二下部电极配置于基板载置区域的外侧的区域。第一上部电极与基板载置区域相向地配置。第二上部电极配置于第一上部电极的外侧的区域，并与第二下部电极相向地配置。第一电源向第一下部电极供给具有周期性的信号。第二下部电极和第二上部电极中的至少一方具有凹部。第二下部电极或第二上部电极位于针对凹部的表面的法线上。
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公开(公告)号：CN113228830A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980087489.1
申请日：2019-12-17
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
摘要： 在示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置中，脉冲状的负极性的直流电压被周期性地施加到下部电极。规定脉冲状的负极性的直流电压施加到下部电极的周期的频率低于为了生成等离子体而被供给的高频电力的频率。高频电力在周期内的第1部分期间内供给。周期内的第2部分期间的高频电力的功率电平被设定为从第1部分期间的高频电力的功率电平减少的功率电平。
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公开(公告)号：CN113078040A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202011450996.8
申请日：2020-12-09
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 公开的等离子体处理装置具备腔室、基板支承器、高频电源、偏置电源及控制部。偏置电源构成为周期性地将脉冲状的负极性的直流电压施加到基板支承器。控制部构成为控制高频电源。控制部为了降低来自高频电源的负载的反射波的功率电平，控制高频电源，以使在对基板支承器施加来自偏置电源的脉冲状的负极性的直流电压的周期内供给其频率变化的高频电力。
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公开(公告)号：CN112466735A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202010884511.X
申请日：2020-08-28
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 舆水地盐
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/683
摘要： 本发明提供基片支承器和等离子体处理装置。本发明的基片支承器包括电介质部和至少一个电极。至少一个电极设置于电介质部之中，用于对载置于电介质部上的物体供给偏置电功率。本发明能够对搭载于基片支承器上的物体高效地供给偏置电功率。
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公开(公告)号：CN112017937A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010423589.1
申请日：2020-05-19
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置。一示例性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括在等离子体处理装置的腔室内的等离子体生成过程中的第一期间，向设置于腔室内的基板支撑器的下部电极施加第一直流电压的工序。等离子体处理方法还包括在腔室内的等离子体生成过程中的与第一期间不同的第二期间向下部电极施加第二直流电压的工序。第二直流电压具有与第一直流电压的电平不同的电平。第二直流电压具有与第一直流电压的极性相同的极性。
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