公开(公告)号：CN101523569B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200780036915.6

申请日：2007-10-05

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 舆石公 ,  小林典之 ,  米田滋 ,  花轮健一 ,  田原慈 ,  杉本胜

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/32183 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3346 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834

摘要： 本发明提供一种等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法。在能够真空排气的处理容器(10)内将上部电极(34)和下部电极(16)以相对的方式配置，上部电极(34)与供给等离子体形成用的高频电力的第一高频电源(48)连接，下部电极(16)与施加离子引入偏压用的高频电力的第二高频电源(90)连接，在第二高频电源(90)设置有控制器(95)，该控制器(95)控制第二高频电源(90)，使其在功率调制模式下工作，该功率调制模式为在聚合物被堆积在晶片W的规定膜上的第一功率与对晶片W的规定膜实施蚀刻的第二功率之间以规定的周期进行功率调制。

公开(公告)号：CN102157372B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110092752.1

申请日：2005-06-21

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 舆石公 ,  杉本胜 ,  日向邦彦 ,  小林典之 ,  舆水地盐 ,  大谷龙二 ,  吉备和雄 ,  齐藤昌司 ,  松本直树 ,  大矢欣伸 ,  岩田学 ,  矢野大介 ,  山泽阳平 ,  花冈秀敏 ,  速水利泰 ,  山崎广树 ,  佐藤学

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

摘要： 本发明提供一种在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。

公开(公告)号：CN101123200A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710140387.0

申请日：2007-08-10

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 舆石公 ,  桧森慎司 ,  松山昇一郎

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/00 ,  C23C16/458 ,  C23C16/513 ,  H01J37/32 ,  H05H1/24

摘要： 本发明涉及等离子体处理装置用的载置台及有该载置台的等离子体处理装置，其能提高等离子体中电场强度的面内均匀性，能对基板进行面内均匀性高的等离子体处理。等离子体处理装置(1)用的载置台(2)包括：兼作等离子体生成用等的下部电极(21)的导电体部件；电介体层(22)，以覆盖导电体部件上面中央部的方式设置，用于使通过被处理基板(晶片W)向等离子体施加的高频电场均匀；和静电卡盘，层积在电介体层(22)上，以高频能够通过其间的方式埋设有在载置台径向上互相隔离并分割为多个的电极膜。电介体层(22)的外边缘位于分割的电极膜(23b、23d)的隔离区域(23c)内边缘的正下方或更靠外侧，分割的电极膜(23b、23d)相对于高频互相绝缘。

公开(公告)号：CN105379428B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201480038871.0

申请日：2014-07-03

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 丸山幸儿 ,  堀口将人 ,  松木哲理 ,  舆石公

IPC分类号： H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32165 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32816 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069

摘要： 等离子体处理装置包括：形成有使内部空间与处理空间连通的连通孔的电介质部件；隔着内部空间的第一电极和第二电极；将第一处理气体供给到内部空间的第一气体供给机构；第一高频电源，其将第一高频电力供给到第一电极和第二电极中的至少任一者，生成第一处理气体的第一等离子体；减压机构，其将第一等离子体中的自由基和第一处理气体导入至处理空间；第二高频电源，其供给第二高频电力，生成第一处理气体的第二等离子体，并将离子引入至被处理体；和控制部，其控制第一高频电力的全部电功率的大小，调整第二等离子体中的自由基量，控制第一高频电力的比率，调整第二等离子体中的离子量。

公开(公告)号：CN102263001B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201110206202.8

申请日：2005-06-21

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 舆石公 ,  杉本胜 ,  日向邦彦 ,  小林典之 ,  舆水地盐 ,  大谷龙二 ,  吉备和雄 ,  齐藤昌司 ,  松本直树 ,  大矢欣伸 ,  岩田学 ,  矢野大介 ,  山泽阳平 ,  花冈秀敏 ,  速水利泰 ,  山崎广树 ,  佐藤学

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

摘要： 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加等离子体形成用的高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元；和设置在所述第一电极与所述处理容器之间，能够改变所述第一电极与所述处理容器之间的电容的可变电容器。

公开(公告)号：CN102263026B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110206125.6

申请日：2005-06-21

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 舆石公 ,  杉本胜 ,  日向邦彦 ,  小林典之 ,  舆水地盐 ,  大谷龙二 ,  吉备和雄 ,  齐藤昌司 ,  松本直树 ,  大矢欣伸 ,  岩田学 ,  矢野大介 ,  山泽阳平 ,  花冈秀敏 ,  速水利泰 ,  山崎广树 ,  佐藤学

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

摘要： 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理方法的特征在于：在处理容器内，将第一电极和支承被处理基板的第二电极相对配置，一边向所述第一电极施加频率相对较高的第一高频电力、并向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力，一边向所述处理容器内供给处理气体，以生成该处理气体的等离子体，对被支承在所述第二电极上的被处理基板进行等离子体处理，该等离子体处理方法具有：向所述第一电极施加直流电压的工序；和一边向所述第一电极施加直流电压，一边对所述被处理基板进行等离子体处理的工序，在对被支承在所述第二电极上的被处理基板的绝缘膜进行蚀刻时，使用CF4、Ar、N2、CHF3的组合作为所述处理气体。

公开(公告)号：CN102263001A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110206202.8

申请日：2005-06-21

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 舆石公 ,  杉本胜 ,  日向邦彦 ,  小林典之 ,  舆水地盐 ,  大谷龙二 ,  吉备和雄 ,  齐藤昌司 ,  松本直树 ,  大矢欣伸 ,  岩田学 ,  矢野大介 ,  山泽阳平 ,  花冈秀敏 ,  速水利泰 ,  山崎广树 ,  佐藤学

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

摘要： 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加等离子体形成用的高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元；和设置在所述第一电极与所述处理容器之间，能够改变所述第一电极与所述处理容器之间的电容的可变电容器。

公开(公告)号：CN1973363A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200580020518.0

申请日：2005-06-21

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 舆石公 ,  杉本胜 ,  日向邦彦 ,  小林典之 ,  舆水地盐 ,  大谷龙二 ,  吉备和雄 ,  齐藤昌司 ,  松本直树 ,  大矢欣伸 ,  岩田学 ,  矢野大介 ,  山泽阳平 ,  花冈秀敏 ,  速水利泰 ,  山崎广树 ,  佐藤学

IPC分类号： H01L21/3065

摘要： 本发明提供一种在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。

公开(公告)号：CN1551305A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410037990.2

申请日：2004-05-14

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 舆石公 ,  北野雅敏

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01J37/32174 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32935 ,  H05H1/46 ,  Y10S438/905

摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置及其控制方法，它能够原样维持运转状态从处理室中除去附着物。在即将开始对晶片的等离子体处理之前，对下部电极施加过冲电压。通过该过冲电压，除去在下部电极的周边部附着堆积的附着物，所以可防止在等离子体刚点火后在处理室内的异常放电的发生。过冲电压是例如通过调整匹配器的电抗而被生成。

公开(公告)号：CN1437764A

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN01811344.3

申请日：2001-07-13

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 舆石公 ,  桧森慎司

IPC分类号： H01L21/68 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/6835 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L24/90 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082

摘要： 本发明的被处理体的保持装置具有：基座本体，第一电介质膜和第二电介质膜。该基座本体为凸台形状，由放置在等离子体处理装置内并保持所放置的被处理体的保持部，和设置在用于嵌入聚焦环的保持部的外周边缘上的凸缘构成。该第一电介质膜利用库仑力将放在上述保持部上的被处理体吸附在基座本体上。该第二电介质膜利用约翰逊－拉贝克力，借助比上述第一电介质膜强的吸附力，将放置在上述凸缘上的上述聚焦环吸附在基座本体上。本装置增大了聚焦环在基座本体上的静电吸附力，提高了冷却效果，并且在聚焦环附近的等离子体处理特性不会随时间改变，可以均匀地处理整个被处理体。