公开(公告)号：CN102157372B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110092752.1

申请日：2005-06-21

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 舆石公 ,  杉本胜 ,  日向邦彦 ,  小林典之 ,  舆水地盐 ,  大谷龙二 ,  吉备和雄 ,  齐藤昌司 ,  松本直树 ,  大矢欣伸 ,  岩田学 ,  矢野大介 ,  山泽阳平 ,  花冈秀敏 ,  速水利泰 ,  山崎广树 ,  佐藤学

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

摘要： 本发明提供一种在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。

公开(公告)号：CN100411096C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200610057728.3

申请日：2006-02-23

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 金子健吾 ,  速水利泰

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  C23C14/54 ,  C23C16/52 ,  C23F4/00

摘要： 本发明的目的在于等离子体处理装置的多个部件的温度控制系统，减少其设置空间和冷却介质的使用量。温度控制系统(80)具有以通过上部电极(20)和基座(12)的内部的方式使盐水循环的循环系统(91)、在循环系统(91)的盐水和替代氟碳化合物之间进行热交换的热交换器(100)、向热交换器(100)供给替代氟碳化合物的冷冻机(92)。循环系统(91)具有通过上部电极(20)内部的第一分流管(111)、通过基座(12)内部的第二分流管(112)。在上部电极(20)和基座(12)的各分流管(111、112)上设置有加热盐水的加热器(121)。热交换器(100)被设置在净化室(R)内，冷冻机(92)被设置在效用室(B)。

公开(公告)号：CN102256432B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201110206223.X

申请日：2005-06-21

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 舆石公 ,  杉本胜 ,  日向邦彦 ,  小林典之 ,  舆水地盐 ,  大谷龙二 ,  吉备和雄 ,  齐藤昌司 ,  松本直树 ,  大矢欣伸 ,  岩田学 ,  矢野大介 ,  山泽阳平 ,  花冈秀敏 ,  速水利泰 ,  山崎广树 ,  佐藤学

IPC分类号： H05H1/46 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

摘要： 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加等离子体形成用的高频电力的高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元，为了使由向所述第一电极施加的来自所述直流电源的直流电压产生的电流通过等离子体放出，在所述处理容器内设置有接地的导电性部件。

公开(公告)号：CN102256431B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201110206162.7

申请日：2005-06-21

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 舆石公 ,  杉本胜 ,  日向邦彦 ,  小林典之 ,  舆水地盐 ,  大谷龙二 ,  吉备和雄 ,  齐藤昌司 ,  松本直树 ,  大矢欣伸 ,  岩田学 ,  矢野大介 ,  山泽阳平 ,  花冈秀敏 ,  速水利泰 ,  山崎广树 ,  佐藤学

IPC分类号： H05H1/46 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

摘要： 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述电极施加等离子体形成用的高频电力的第一高频电力施加单元；向所述电极施加第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述电极施加第三高频电力的第三高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元。

公开(公告)号：CN1984523B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN200710004236.2

申请日：2005-06-21

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 舆石公 ,  日向邦彦 ,  大谷龙二 ,  松本直树 ,  矢野大介 ,  速水利泰 ,  杉本胜 ,  小林典之 ,  吉备和雄 ,  大矢欣伸 ,  山泽阳平 ,  山崎广树 ,  舆水地盐 ,  齐藤昌司 ,  岩田学 ,  花冈秀敏 ,  佐藤学

IPC分类号： H05H1/24 ,  H05H1/02 ,  H01L21/306 ,  C23C16/00 ,  C23F1/00

摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第一电极施加频率相对较高的第一高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元；和控制从所述直流电源向所述第一电极的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个的控制装置。

公开(公告)号：CN102157372A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110092752.1

申请日：2005-06-21

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 舆石公 ,  杉本胜 ,  日向邦彦 ,  小林典之 ,  舆水地盐 ,  大谷龙二 ,  吉备和雄 ,  齐藤昌司 ,  松本直树 ,  大矢欣伸 ,  岩田学 ,  矢野大介 ,  山泽阳平 ,  花冈秀敏 ,  速水利泰 ,  山崎广树 ,  佐藤学

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

摘要： 本发明提供一种在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。

公开(公告)号：CN1983518B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200710004237.7

申请日：2005-06-21

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 舆石公 ,  日向邦彦 ,  大谷龙二 ,  松本直树 ,  矢野大介 ,  速水利泰 ,  杉本胜 ,  小林典之 ,  吉备和雄 ,  大矢欣伸 ,  山泽阳平 ,  山崎广树 ,  舆水地盐 ,  齐藤昌司 ,  岩田学 ,  花冈秀敏 ,  佐藤学

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00

摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加频率相对较高的第一高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元。

公开(公告)号：CN100401471C

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200610082631.8

申请日：2006-05-19

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 本田昌伸 ,  速水利泰

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/67 ,  C23C16/00 ,  C23C14/00 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00

摘要： 本发明提供以简单的构成能够容易地控制聚合物的附着量的等离子体处理室。等离子体处理室(10)具有覆盖容器(11)的内周面的圆筒状的侧壁构件(45)，电位控制装置(46)具有通过升降与侧壁构件(45)接触，或者不与侧壁构件(45)接触、接地的导通构件(47)，在RIE处理中，通过使导通构件(47)下降与侧壁构件(45)接触，将侧壁构件(45)的电位设定为接地电位，在灰化处理中，通过使导通构件(47)上升不与侧壁构件(45)接触，将侧壁构件(45)的电位设定为浮接电位。

公开(公告)号：CN101064987A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200610121598.5

申请日：2004-02-12

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  新电元工业株式会社

发明人： 速水利泰 ,  岩崎征英 ,  高平淳一 ,  渡部一良 ,  小松真一 ,  佐佐木雄一

IPC分类号： H05H1/46 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01J37/32174 ,  H01J37/32082

摘要： 本发明的等离子体处理装置包括：处理容器，其内部可减压；第1电极，配置在所述处理容器内；处理气体供给部件，用于将处理气体供给到所述处理容器内；高频电源部，输出具有VHF带频率的高频电力；匹配器，与所述高频电源部和所述第1电极电连接，获得阻抗的匹配；以及传输线路，从所述高频电源部至所述匹配器传输所述高频电力。在所述处理容器内可配置被处理基板，通过传输到所述第1电极的所述高频电力产生的等离子体，可对该被处理基板实施等离子体处理。所述传输线路比可产生所述高频电力的第3高次谐波的谐振状态的最短长度短。

公开(公告)号：CN1983518A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200710004237.7

申请日：2005-06-21

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 舆石公 ,  日向邦彦 ,  大谷龙二 ,  松本直树 ,  矢野大介 ,  速水利泰 ,  杉本胜 ,  小林典之 ,  吉备和雄 ,  大矢欣伸 ,  山泽阳平 ,  山崎广树 ,  舆水地盐 ,  齐藤昌司 ,  岩田学 ,  花冈秀敏 ,  佐藤学

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00

摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加频率相对较高的第一高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元。