发明授权
- 专利标题： 等离子体处理装置
- 专利标题（英）： Plasma treatment device
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申请号： CN201110240360.5申请日： 2011-08-19
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公开(公告)号： CN102280342B公开(公告)日： 2013-08-21
- 发明人: 倪图强 , 欧阳亮 , 吴狄 , 陶铮 , 松尾裕史
- 申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 专利权人： 中微半导体设备(上海)有限公司
- 当前专利权人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 骆苏华
- 主分类号： H01J37/32
- IPC分类号： H01J37/32 ; H01J37/30
摘要：
本发明实施例提供了一种等离子体处理装置，包括：真空处理腔室；第一电极，位于所述真空处理腔室内，第一电极上方安装有放置待处理晶圆的平台，所述第一电极与两个射频电源电连接，其中第一射频源大于第二射频源频率的1.5倍；非电介质材料层，位于第一电极与放置待处理晶圆的平台之间，所述非电介质材料层的电阻率大于所述第一电极的电阻率。本发明实施例提高了真空处理腔室内的等离子体分布的均匀度，改善了等离子处理装置处理后的晶圆的均匀度。
公开/授权文献
- CN102280342A 等离子体处理装置 公开/授权日：2011-12-14