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公开(公告)号：CN101872733B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910049960.6
申请日：2009-04-24
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/66 , H05F3/00
CPC分类号： H01L21/6833 , H01L21/68742 , H01L22/14
摘要： 本发明涉及一种从被加工半导体工艺件消除残余电荷的系统和方法。移除残余电荷会减少/防止去夹持的失败，从而防止半导体工艺件被破碎或被损坏。对嵌入于静电夹盘内的电极施加反向放电直流电压，并通过升降顶针组件来提供一个残余电荷接地的出口，而使残余电荷被移除。升降顶针组件被保持与静电夹盘的基座具有相同的电势，来防止在施加射频功率来产生等离子体时产生电火花。一残余电荷感测器被用来感测和测量残余电荷的数量，因此，在下一次的去夹持操作过程中，反向放电电压的参数可以被调整。
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公开(公告)号：CN102789949B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201210022296.8
申请日：2012-02-01
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/20
摘要： 本发明公开了一种等离子反应器，包括一个反应腔，反应腔内有一个安装基台，安装基台内包括一个电极与第一射频发生器相连接，所述电极上方固定有一个静电吸盘以放置待处理基片，所述静电吸盘包含：埋入电极，所述的埋入电极设置在静电吸盘的边缘并通过电线与外部的第二射频发生器相连，该电线从静电吸盘下方的电极中穿过。本发明能够补偿静电吸盘边缘的蚀刻/沉积率，从而保证静电吸盘的有效性。
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公开(公告)号：CN102686004B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201110064745.0
申请日：2011-03-17
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H05H1/46
摘要： 本发明涉及一种用于等离子体发生器的可控制谐波的射频系统，包含提供生成所述等离子体的射频能量的第一射频源，以及连接在所述第一射频源与所述驱动电极之间的匹配盒，其通过设置的匹配电路，使所述反应腔内等离子体的负载阻抗与所述第一射频源的输出阻抗相匹配；本发明的特点是，在所述匹配盒中还设置有谐波控制装置，其产生一阻抗值可调的调谐阻抗，来调整第一射频源的谐波阻抗，从而抑制该第一射频源的谐波电流，使基片表面的等离子体能均匀分布；或者，谐波控制装置通过使其输出的调谐阻抗在高阻抗至低阻抗之间可调，来控制谐波电流的大小，并在基片中心及边缘表面获得不同的等离子体密度，以对应产生不同的蚀刻效果。
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公开(公告)号：CN102438389A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201010296641.8
申请日：2010-09-29
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H03H7/38 , H01J37/32183 , H03H2007/386 , Y10T29/49117
摘要： 一种适用于至少两个频率输入的单一匹配网络，用于选择性地给所述两个频率中的任一频率提供射频功率匹配给一等离子体负载，所述单一匹配网络包括一连接至所述多频率输入的输入端和一连接至所述等离子体负载的输出端，在所述输入端和输出端之间包括相互串联的电容以及电感，并且所述电容和电感构成一支路，所述电容的电容值为C0，所述电感的电感值为L0，其中，所述电容值C0和电感值L0满足如下关系：jω1L0+1/jω1C0＝jy1jω2L0+1/jω2C0＝jy2其中，ω1＝2πf1，ω2＝2πf2，所述f1和f2分别为所述两个频率的频率大小，y1为在频率f1下达到匹配状态所述支路所需要的阻抗，y2为在频率f2下达到匹配状态所述支路所需要的阻抗。
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公开(公告)号：CN101872733A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200910049960.6
申请日：2009-04-24
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/66 , H05F3/00
CPC分类号： H01L21/6833 , H01L21/68742 , H01L22/14
摘要： 本发明涉及一种从被加工半导体工艺件消除残余电荷的系统和方法。移除残余电荷会减少/防止去夹持的失败，从而防止半导体工艺件被破碎或被损坏。对嵌入于静电夹盘内的电极施加反向放电直流电压，并通过升降顶针组件来提供一个残余电荷接地的出口，而使残余电荷被移除。升降顶针组件被保持与静电夹盘的基座具有相同的电势，来防止在施加射频功率来产生等离子体时产生电火花。一残余电荷感测器被用来感测和测量残余电荷的数量，因此，在下一次的去夹持操作过程中，反向放电电压的参数可以被调整。
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公开(公告)号：CN102280342B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201110240360.5
申请日：2011-08-19
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明实施例提供了一种等离子体处理装置，包括：真空处理腔室；第一电极，位于所述真空处理腔室内，第一电极上方安装有放置待处理晶圆的平台，所述第一电极与两个射频电源电连接，其中第一射频源大于第二射频源频率的1.5倍；非电介质材料层，位于第一电极与放置待处理晶圆的平台之间，所述非电介质材料层的电阻率大于所述第一电极的电阻率。本发明实施例提高了真空处理腔室内的等离子体分布的均匀度，改善了等离子处理装置处理后的晶圆的均匀度。
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公开(公告)号：CN102438389B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201010296641.8
申请日：2010-09-29
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H03H7/38 , H01J37/32183 , H03H2007/386 , Y10T29/49117
摘要： 一种适用于至少两个频率输入的单一匹配网络，用于选择性地给所述两个频率中的任一频率提供射频功率匹配给一等离子体负载，所述单一匹配网络包括一连接至所述多频率输入的输入端和一连接至所述等离子体负载的输出端，在所述输入端和输出端之间包括相互串联的电容以及电感，并且所述电容和电感构成一支路，所述电容的电容值为C0，所述电感的电感值为L0，其中，所述电容值C0和电感值L0满足如下关系：jω1L0+1/jω1C0＝jy1jω2L0+1/jω2C0＝jy2其中，ω1＝2πf1，ω2＝2πf2，所述f1和f2分别为所述两个频率的频率大小，y1为在频率f1下达到匹配状态所述支路所需要的阻抗，y2为在频率f2下达到匹配状态所述支路所需要的阻抗。
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公开(公告)号：CN102686004A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110064745.0
申请日：2011-03-17
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H05H1/46
摘要： 本发明涉及一种用于等离子体发生器的可控制谐波的射频系统，包含提供生成所述等离子体的射频能量的第一射频源，以及连接在所述第一射频源与所述驱动电极之间的匹配盒，其通过设置的匹配电路，使所述反应腔内等离子体的负载阻抗与所述第一射频源的输出阻抗相匹配；本发明的特点是，在所述匹配盒中还设置有谐波控制装置，其产生一阻抗值可调的调谐阻抗，来调整第一射频源的谐波阻抗，从而抑制该第一射频源的谐波电流，使基片表面的等离子体能均匀分布；或者，谐波控制装置通过使其输出的调谐阻抗在高阻抗至低阻抗之间可调，来控制谐波电流的大小，并在基片中心及边缘表面获得不同的等离子体密度，以对应产生不同的蚀刻效果。
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