发明授权
CN102289158B 辐射系统和光刻设备
失效 - 权利终止
- 专利标题: 辐射系统和光刻设备
- 专利标题(英): Radiation system and lithographic apparatus
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申请号: CN201110285866.8申请日: 2007-11-27
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公开(公告)号: CN102289158B公开(公告)日: 2014-06-11
- 发明人: A·C·瓦森克 , V·Y·班尼恩 , V·V·伊娃诺夫 , K·N·科什烈夫 , T·P·M·卡迪 , V·M·克里夫塔森 , D·J·W·克伦德尔 , M·M·J·W·范赫彭 , P·P·A·A·布洛姆 , W·A·索尔 , D·克拉什科夫
- 申请人: ASML荷兰有限公司
- 申请人地址: 荷兰维德霍温
- 专利权人: ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人: ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人地址: 荷兰维德霍温
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 吴敬莲
- 优先权: 11/637,936 2006.12.13 US
- 分案原申请号: 2007800460569 2007.11.27
- 主分类号: G03F7/20
- IPC分类号: G03F7/20 ; G21K1/00 ; H05G2/00
摘要:
本发明公开了一种辐射系统和光刻设备,所述辐射系统用于产生限定一个光学轴线的辐射束。所述辐射系统包括用于产生EUV辐射的等离子体产生的放电源。放电源包括构造并配置成设置有电压差的一对电极,和系统,该系统用于在该对电极之间产生等离子体以便在电极之间的等离子体中提供放电。辐射系统还包括用于捕获来自电极的碎片的碎片捕获遮蔽件。碎片捕获遮蔽件构造并配置成将电极和以相对于光学轴线的预定球面角提供的光的路线遮挡分开,并且在该光的路线中电极之间的中心区域提供孔。
公开/授权文献
- CN102289158A 辐射系统和光刻设备 公开/授权日:2011-12-21
IPC分类: