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公开(公告)号：CN101960338B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200980106463.3
申请日：2009-02-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： W·A·索尔 , V·Y·班尼恩 , J·H·J·莫尔斯 , M·M·J·W·范赫彭 , A·M·亚库林
CPC classification number: G02B5/208 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G02B5/22 , G02B5/26 , G03F7/70191 , G03F7/702 , G03F7/70575 , G03F7/70958 , G21K1/067 , G21K2201/061 , G21K2201/064 , G21K2201/065 , G21K2201/067
Abstract: 一种光学元件包括第一层(4)，所述第一层包括第一材料，并配置成对第一波长的辐射是基本上反射的并且对第二波长的辐射是基本上透明的。光学元件包括第二层(2)，所述第二层包括第二材料，并配置成对所述第二波长的辐射是基本上吸收的或透明的。光学元件包括第三层(3)，位于所述第一层和所述第二层之间的所述第三层包括第三材料，并对所述第二波长的辐射是基本上透明的并且配置成减小所述第二波长的辐射从所述第二层的面朝所述第一层的顶部表面的反射。第一层位于入射辐射的光学路径中相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。
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公开(公告)号：CN101689030A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880024373.5
申请日：2008-07-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·M·J·W·范赫彭 , W·A·索尔 , K·杰里森
CPC classification number: G03F7/70916 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70883 , G03F7/70983
Abstract: 一种碎片防止系统，其构造并布置成防止从辐射源(2)发射的碎片与来自辐射源(2)的辐射一起传播进入光刻设备或在光刻设备内部传播。碎片防止系统包括：孔(3)，其限定来自所述辐射源(2)的所述辐射的最大发射角(α)；和第一碎片阻挡件(4、4’)，其具有辐射透射率。第一碎片阻挡件(4、41)包括可旋转翼片阱。碎片防止系统还包括第二碎片阻挡件(5)，其具有辐射透射率。第一碎片阻挡件(4、4’)配置成覆盖所述发射角的一部分并且所述第二碎片阻挡件(5)配置成覆盖所述发射角(θ)的另一部分。
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公开(公告)号：CN102981201B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210518419.7
申请日：2009-02-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： W·A·索尔 , V·Y·班尼恩 , J·H·J·莫尔斯 , M·M·J·W·范赫彭 , A·M·亚库林
CPC classification number: G02B5/208 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G02B5/22 , G02B5/26 , G03F7/70191 , G03F7/702 , G03F7/70575 , G03F7/70958 , G21K1/067 , G21K2201/061 , G21K2201/064 , G21K2201/065 , G21K2201/067
Abstract: 本申请涉及一种光学元件、包括该光学元件的光刻设备、器件制造方法以及所制造的器件。一种光学元件包括第一层(4)，所述第一层包括第一材料，并配置成对第一波长的辐射是基本上反射的并且对第二波长的辐射是基本上透明的。光学元件包括第二层(2)，所述第二层包括第二材料，并配置成对所述第二波长的辐射是基本上吸收的或透明的。光学元件包括第三层(3)，位于所述第一层和所述第二层之间的所述第三层包括第三材料，并对所述第二波长的辐射是基本上透明的并且配置成减小所述第二波长的辐射从所述第二层的面朝所述第一层的顶部表面的反射。第一层位于入射辐射的光学路径中相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。
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公开(公告)号：CN102177470B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200980140120.9
申请日：2009-09-03
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70825 , G03F7/70175 , G21K2201/06
Abstract: 本发明公开了一种收集器组件(300)，其包括用于将来自辐射发射点(31)(诸如极紫外辐射发射点)的辐射反射至中间焦点(18)的第一收集器反射镜(33)，来自所述中间焦点的辐射用在用于器件制造的光刻设备中。在辐射发射点(31)前面的第二收集器反射镜(35)收集另外的辐射，将它反射回至第三反射镜(36)和从第三反射镜到达中间焦点(18)。反射镜(33、35、36)可以允许辐射被高效率地且没有增加展度地收集。收集器组件(300)可以减小或移除所收集的辐射的不均匀性，例如由通过激光束阻挡件(34)收集的辐射的遮蔽所引起，所述激光束阻挡件用于防止激光激励辐射进入到光刻设备中。
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公开(公告)号：CN102165372B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN200980137614.1
申请日：2009-08-26
Applicant: ASML荷兰有限公司 , 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： W·A·索尔 , A·M·雅库尼恩 , M·J·J·杰克 , D·马修 , H·J·凯特拉里基 , F·C·范登荷尤维尔 , P·E·M·库基皮尔斯
CPC classification number: G03F7/7095 , B82Y10/00 , G02B5/208 , G03F7/70191 , G03F7/70575 , G21K1/10 , G21K2201/061
Abstract: 一种透射光谱纯度滤光片(100)，配置成透射极紫外辐射。光谱纯度滤光片(102F)包括滤光片部分(100)，所述滤光片部分(100)具有配置成透射极紫外辐射并抑制第二类型辐射的透射的多个孔(104)。每个孔(104)通过各向异性蚀刻工艺制造。
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公开(公告)号：CN102150084A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200980131716.2
申请日：2009-07-09
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·J·J·杰克 , W·A·索尔 , M·M·J·W·范赫彭 , V·Y·班尼恩 , A·M·雅库尼恩
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/702 , G03F7/70191 , G03F7/70575 , G21K1/10
Abstract: 一种光谱纯度滤光片，配置成允许极紫外(EUV)辐射透射通过其中并且折射或反射非极紫外伴随辐射。光谱纯度滤光片可以是源模块和/或光刻设备的一部分。
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公开(公告)号：CN101583909B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200780035599.0
申请日：2007-09-25
Applicant: ASML荷兰有限公司 , 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： M·M·J·W·范赫彭 , V·Y·拜尼恩 , J·C·L·弗兰肯 , O·W·V·弗吉恩斯 , D·J·W·克朗德尔 , N·M·德里森 , W·A·索尔
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70916 , G01N21/15 , G03F7/70558
Abstract: 本发明公开一种用在极紫外光刻系统中的光学传感器装置(1)。该装置包括光学传感器，该传感器包括传感器表面(3)和构造用于从传感器表面去除碎片(6)的去除机构(5)。因而，可以对光刻系统方便地实施剂量和/或污染物测量。
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公开(公告)号：CN101971100A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980107377.4
申请日：2009-03-03
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·M·J·W·范赫彭 , W·A·索尔
CPC classification number: G03F7/70958 , G03F7/70033 , G03F7/70916 , G03F7/70983
Abstract: 一种光刻设备，包括：等离子体源，其包括配置成包围等离子体形成位置(2)的容器(1)、配置成将光辐射(8)转移到或离开所述容器的光学装置(3)和反射器(6)，反射器(6)布置在所述光学装置和所述等离子体形成位置源之间的光学路径上。所述反射器配置成在所述光学装置和所述等离子体形成位置之间反射所述光辐射。所述反射器在操作时形成为熔融金属反射镜。
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公开(公告)号：CN102289158B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201110285866.8
申请日：2007-11-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·C·瓦森克 , V·Y·班尼恩 , V·V·伊娃诺夫 , K·N·科什烈夫 , T·P·M·卡迪 , V·M·克里夫塔森 , D·J·W·克伦德尔 , M·M·J·W·范赫彭 , P·P·A·A·布洛姆 , W·A·索尔 , D·克拉什科夫
CPC classification number: G03F7/70933 , G03F7/70858 , G03F7/70883 , G03F7/70916 , G03F7/70925 , G03F7/70983 , H05G2/003 , H05G2/005
Abstract: 本发明公开了一种辐射系统和光刻设备，所述辐射系统用于产生限定一个光学轴线的辐射束。所述辐射系统包括用于产生EUV辐射的等离子体产生的放电源。放电源包括构造并配置成设置有电压差的一对电极，和系统，该系统用于在该对电极之间产生等离子体以便在电极之间的等离子体中提供放电。辐射系统还包括用于捕获来自电极的碎片的碎片捕获遮蔽件。碎片捕获遮蔽件构造并配置成将电极和以相对于光学轴线的预定球面角提供的光的路线遮挡分开，并且在该光的路线中电极之间的中心区域提供孔。
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公开(公告)号：CN101971100B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN200980107377.4
申请日：2009-03-03
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·M·J·W·范赫彭 , W·A·索尔
CPC classification number: G03F7/70958 , G03F7/70033 , G03F7/70916 , G03F7/70983
Abstract: 一种光刻设备，包括：等离子体源，其包括配置成包围等离子体形成位置(2)的容器(1)、配置成将光辐射(8)转移到或离开所述容器的光学装置(3)和反射器(6)，反射器(6)布置在所述光学装置和所述等离子体形成位置源之间的光学路径上。所述反射器配置成在所述光学装置和所述等离子体形成位置之间反射所述光辐射。所述反射器在操作时形成为熔融金属反射镜。
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