发明授权
- 专利标题： 半导体器件的金属栅结构
- 专利标题（英）： Metal gate structure of a semiconductor device
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申请号： CN201110061221.6申请日： 2011-03-14
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公开(公告)号： CN102437185B公开(公告)日： 2014-07-30
- 发明人: 周汉源 , 张立伟 , 朱鸣 , 杨宝如 , 庄学理
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 北京德恒律师事务所
- 代理商 陆鑫; 高雪琴
- 优先权： 12/893,338 2010.09.29 US
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/423 ; H01L21/336 ; H01L21/28
摘要：
本申请披露了一种半导体器件，包括：基板，具有第一有源区、第二有源区、以及插入第一有源区和第二有源区之间具有第一宽度的隔离区；P-金属栅电极，在第一有源区之上并且延伸隔离区的第一宽度的至少2/3；以及N-金属栅电极，在第二有源区之上并且延伸不超过第一宽度的1/3。N-金属栅电极电连接至隔离区之上的P-金属栅电极。
公开/授权文献
- CN102437185A 半导体器件的金属栅结构 公开/授权日：2012-05-02
IPC分类:
