公开(公告)号：CN103811493B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201310164907.7

申请日：2013-05-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄学理 ,  朱鸣

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/266 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其形成方法。一种半导体器件包括具有第一阈值电压的第一NMOS器件和具有第二阈值电压的第二NMOS器件。第一NMOS器件包括位于半导体衬底上方的第一栅极结构、位于半导体衬底中并且邻近于第一栅极结构的相对边缘的第一源极/漏极(S/D)区域。第一S/D区域不包含位错。第二NMOS器件包括位于半导体衬底上方的第二栅极结构、位于半导体衬底中并且邻近于第二栅极结构的相对边缘的第二S/D区域和位于第二S/D区域中的位错。

公开(公告)号：CN103579235B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201210514780.2

申请日：2012-12-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄学理 ,  朱鸣 ,  陈意仁

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/41 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823885 ,  H01L29/42376

Abstract: 本发明涉及了一种器件，该器件包括晶圆衬底、形成在晶圆衬底中的截顶圆锥结构和围绕着截顶圆锥结构的中部的栅极全包围(GAA)结构。该截顶圆锥结构包括形成在截顶圆锥底部的漏极、形成在垂直截顶圆锥的顶部的源极和形成在截顶圆锥的中部的接触源极和漏极的沟道。GAA结构在GAA结构的一侧与源极相重叠，并且在GAA结构的另一侧与漏极相重叠。本发明还提供了一种带有垂直栅极结构的器件。

公开(公告)号：CN103123901B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201210109830.9

申请日：2012-04-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄学理 ,  郭正诚 ,  蔡境哲 ,  朱鸣 ,  杨宝如

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/092 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上方形成多个伪栅极。伪栅极沿着第一轴延伸。该方法包括在伪栅极上方形成掩模层。掩模层限定沿着不同于第一轴的第二轴延伸的伸长开口。开口暴露出伪栅极的第一部并保护伪栅极的第二部。开口的尖端部的宽度大于开口的非尖端部的宽度。采用光学邻近校正(OPC)工艺形成掩模层。该方法包括用多个第一金属栅极替换伪栅极的第一部。该方法包括用不同于第一金属栅极的多个第二金属栅极替换伪栅极的第二部。本发明提供了N/P边界效应减小的金属栅极晶体管。

公开(公告)号：CN102339855B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110029417.7

申请日：2011-01-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周汉源 ,  朱鸣 ,  张立伟 ,  庄学理

IPC: H01L29/49 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/768 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66606 ,  H01L29/7833 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种内连线结构及其制作方法，该内连线结构，包括一第一栅极电极，具有一第一功函数金属层的一第一部分，第一部分位于一信号金属层的一第一部分之下；以及一第二栅极电极，具有第一功函数金属层的一第二部分，第二部分插置于一第二功函数金属层与信号金属层的一第二部分之间，其中信号金属层的第二部分位于第一功函数金属层的第二部分之上，信号金属层的第二部分与信号金属层的第一部分是连续的，信号金属层的第二部分的最大厚度小于信号金属层的第一部分的最大厚度。本发明的实施例中内连线结构的接触阻抗，较不受工艺变动的影响。

公开(公告)号：CN103066073B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201210093769.3

申请日：2012-03-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱鸣 ,  林慧雯 ,  庄学理 ,  杨宝如 ,  黄渊圣 ,  陈嘉仁 ,  陈昭成

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/49 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966

Abstract: 本发明涉及集成电路制造，并且更具体地涉及的是金属栅极结构。CMOS半导体器件的一种示例性结构包括：包括邻近P有源区域和N有源区域并且将其分隔开的隔离区域的衬底；位于P有源区域上方并且在隔离区域上方延伸的P金属栅电极，其中，P金属栅电极包括P功函金属以及位于P功函金属和衬底之间的含氧TiN层；以及位于N有源区域上方并且在隔离区域上方延伸的N金属栅电极，其中，N金属栅电极包括N功函金属以及位于N功函金属和衬底之间的富氮TiN层，其中，在隔离区域上方，富氮TiN层与含氧TiN层相连接。本发明还提供了一种半导体器件的金属栅极结构。

公开(公告)号：CN102769029B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110368821.7

申请日：2011-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄学理 ,  宋明相 ,  陈国基 ,  朱鸣 ,  陈柏年 ,  杨宝如

IPC: H01L29/423 ,  H01L27/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/0266 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明公开了一种具有栅极叠层的器件，该器件包括漏极、源极、以及栅极叠层。栅极叠层具有栅极介电层、直接位于栅极介电层顶部上的栅极导电层、以及直接位于栅极导电层的顶部上的第一栅极层和第二栅极层。第一栅极层的第一电阻高于第二栅极层的第二电阻。第二栅极层是导电的，与栅极导电层电连接，并且具有接触端，该接触端被配置为作为器件的栅极的接触端。还公开了该栅极叠层的制造方法。

公开(公告)号：CN102832214B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201210180087.6

申请日：2012-06-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄学理 ,  朱鸣

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8232

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/823437 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/94

Abstract: 公开了一种集成电路器件及其制造方法。在一个实例中，集成电路器件包括电容器，该电容器具有设置在半导体衬底中的掺杂区域、设置在掺杂区域上方的介电层、以及设置在介电层上方的电极。至少一个柱状部件嵌入在该电极中。本发明还提供了一种大尺寸器件及其在后栅极工艺中的制造方法。

公开(公告)号：CN103633141A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201210546494.4

申请日：2012-12-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄学理 ,  朱鸣

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7391 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7889

Abstract: 用于垂直隧道场效应晶体管单元的系统和方法。本发明公开了一种半导体器件单元。该半导体器件单元包括具有栅极表面和接触表面的晶体管栅极，以及通过源极接触件接触的源极区。半导体器件单元还包括通过漏极接触件接触的漏极区，其中漏极接触件相对于晶体管栅极的栅极表面不在源极接触件的对面。公开了栅极接触件相比于与漏极接触件的距离更靠近源极接触件的其他半导体器件单元。

公开(公告)号：CN103367254A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210282890.0

申请日：2012-08-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄学理 ,  朱鸣 ,  林慧雯 ,  杨宝如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L27/092 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/092 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体制造方法包括在衬底的第一区域上形成第一功函数金属层以及在衬底的第二区域上和第一功函数金属层上形成金属层。在金属层上形成伪层。然后图案化这些层，从而在衬底的第一区域中形成第一栅极结构并且在第二区域中形成第二栅极结构。然后去除伪层，从而暴露出被处理的金属层。该处理可以是氧处理，该氧处理使得金属层充当第二功函数层。本发明还提供金属栅极半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN103325670A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201210418352.X

申请日：2012-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄仁安 ,  朱鸣 ,  刘继文

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/423 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823864 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66606

Abstract: 提供了方法和器件，包括设置在衬底上方的多个不同配置的栅极结构。例如，第一栅极结构与第一类型的晶体管相关联，并且包括第一介电层和第一金属层；第二栅极结构与第二类型的晶体管相关联，并且包括第二介电层、第二金属层、多晶硅层、第一介电层和第一金属层；以及伪栅极结构，包括第一介电层和第一金属层。本发明还提供了金属栅极半导体器件。