- 专利标题: 形成磁性隧道结结构和形成磁性随机存取存储器的方法
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申请号: CN201110386624.8申请日: 2011-11-29
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公开(公告)号: CN102479918B公开(公告)日: 2016-03-16
- 发明人: 申喜珠 , 郑峻昊 , 李将银 , 吴世忠
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地
- 代理机构: 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 陈源; 张帆
- 优先权: 10-2010-0119756 2010.11.29 KR
- 主分类号: H01L43/08
- IPC分类号: H01L43/08 ; H01L43/12 ; H01L27/22 ; G11C11/15
摘要:
公开了形成磁性隧道结结构和形成磁性随机存取存储器的方法。一种制造磁性隧道结结构的方法,包括:通过在基板上顺序地堆叠第一磁性层、隧道介电层、和第二磁性层来形成磁性隧道结层。掩模图案形成在第二磁性层的区域上。通过执行至少一个蚀刻处理和至少一个氧化处理多次来形成磁性隧道结层图案和在磁性隧道结层图案的至少一个侧壁上的侧壁介电层图案。至少一个蚀刻处理可以包括第一蚀刻处理,其使用惰性气体和掩模图案来蚀刻磁性隧道结层的一部分以形成第一蚀刻产物。至少一个氧化处理包括第一氧化处理,其氧化附着在磁性隧道结层的蚀刻侧上的第一蚀刻产物。
公开/授权文献
- CN102479918A 形成磁性隧道结结构和形成磁性随机存取存储器的方法 公开/授权日:2012-05-30
IPC分类: