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公开(公告)号：CN119156018A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202410056031.2
申请日：2024-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器件包括：参考磁图案和自由磁图案，所述参考磁图案和所述自由磁图案顺序堆叠在衬底上；以及隧道势垒图案，所述隧道势垒图案位于参考磁图案和自由磁图案之间，其中，参考磁图案包括：第一钉扎图案；第二钉扎图案，所述第二钉扎图案位于第一钉扎图案和隧道势垒图案之间；以及交换耦合图案，所述交换耦合图案位于第一钉扎图案和第二钉扎图案之间，交换耦合图案将第一钉扎图案和第二钉扎图案反铁磁耦合，其中，第一钉扎图案包括：第一磁图案；以及第二磁图案，所述第二磁图案位于第一磁图案和交换耦合图案之间，第一磁图案是包括第一铁磁元素和第一非磁性金属元素的合金的单层，并且其中，第二磁图案是包括第二铁磁元素的单层。
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公开(公告)号：CN118541013A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410162526.3
申请日：2024-02-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供磁存储器件和用于制造其的方法。所述磁存储器件包括：钉扎层图案；包括硼(B)的自由层图案；在所述钉扎层图案和所述自由层图案之间的隧道势垒层图案；与所述隧道势垒层图案间隔开、其间有所述自由层图案的氧化物层图案，所述氧化物层图案包括金属硼酸盐；以及与所述自由层图案间隔开、其间有所述氧化物层图案的封盖层图案，所述封盖层图案包括金属硼化物，其中在所述自由层图案的硼浓度与所述氧化物层图案的硼浓度之间的差为10原子％或更小，并且在所述氧化物层图案的硼浓度与所述封盖层图案的硼浓度之间的差为10原子％或更小。
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公开(公告)号：CN115768239A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211067312.5
申请日：2022-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁性存储器件可以包括堆叠在基板上的被钉扎磁性图案和自由磁性图案、在被钉扎磁性图案和自由磁性图案之间的隧道势垒图案、在自由磁性图案上的覆盖图案、以及在自由磁性图案和覆盖图案之间的非磁性图案。自由磁性图案可以在隧道势垒图案和覆盖图案之间。非磁性图案可以包括第一非磁性金属和硼，覆盖图案包括第二非磁性金属。第二非磁性金属的硼化物形成能可以高于第一非磁性金属的硼化物形成能。
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公开(公告)号：CN111261771A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201910733076.8
申请日：2019-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体器件可以包括在衬底上的第一存储单元和在衬底上并且邻近第一存储单元的第二存储单元。第一存储单元可以包括：第一参考层；第一存储层；在第一参考层和第一存储层之间的第一隧道层；以及与第一存储层接触的第一自旋轨道转矩(SOT)线。第二存储单元可以包括：第二参考层；第二存储层；在第二参考层和第二存储层之间的第二隧道层；邻近第二存储层的第二SOT线；以及在第二存储层和第二SOT线之间的增强层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102024903B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201010282801.3
申请日：2010-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/02 , B82Y25/00 , G11C11/16 , G11C11/161 , H01F10/123 , H01F10/3236 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F10/3286 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 一种磁存储器件可以包括第一垂直磁性层、在第一垂直磁性层上的非磁性层、以及在非磁性层上的第一结磁性层，其中，非磁性层在第一垂直磁性层和第一结磁性层之间。隧道势垒可以在第一结磁性层上，其中，第一结磁性层在非磁性层和隧道势垒之间。第二结磁性层可以在隧道势垒上，其中，隧道势垒在第一结磁性层和第二结磁性层之间，并且第二垂直磁性层可以在第二结磁性层上，其中，第二结磁性层在隧道势垒和第二垂直磁性层之间。
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公开(公告)号：CN115411063A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210577683.1
申请日：2022-05-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种磁性存储器件，其包括依次堆叠在衬底上的被钉扎磁性图案和自由磁性图案、在被钉扎磁性图案和自由磁性图案之间的隧道势垒图案、在自由磁性图案上的顶电极、以及在自由磁性图案和顶电极之间的盖图案。盖图案包括下盖图案、在下盖图案和顶电极之间的上盖图案、在下盖图案和上盖图案之间的第一非磁性图案、以及在第一非磁性图案和上盖图案之间的第二非磁性图案。下盖图案和上盖图案中的每个包括非磁性金属。第一非磁性图案和第二非磁性图案包括彼此不同的金属。
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公开(公告)号：CN109698268A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811180725.8
申请日：2018-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/10 , H01L43/12 , H01L43/08 , H01L21/67207
Abstract: 本公开提供了一种半导体制造装置以及制造存储器件的方法。该半导体制造装置包括转移室、连接到转移室的第一工艺室、以及连接到转移室的第二工艺室。转移室可以配置为转移基板。第一工艺室可以配置为在第一温度执行用于氧化基板上的金属层的第一氧化工艺。第二工艺室可以配置为在高于第一温度的第二温度执行用于氧化基板上的金属层的第二氧化工艺。
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公开(公告)号：CN102479918B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201110386624.8
申请日：2011-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , H01L27/228
Abstract: 公开了形成磁性隧道结结构和形成磁性随机存取存储器的方法。一种制造磁性隧道结结构的方法，包括：通过在基板上顺序地堆叠第一磁性层、隧道介电层、和第二磁性层来形成磁性隧道结层。掩模图案形成在第二磁性层的区域上。通过执行至少一个蚀刻处理和至少一个氧化处理多次来形成磁性隧道结层图案和在磁性隧道结层图案的至少一个侧壁上的侧壁介电层图案。至少一个蚀刻处理可以包括第一蚀刻处理，其使用惰性气体和掩模图案来蚀刻磁性隧道结层的一部分以形成第一蚀刻产物。至少一个氧化处理包括第一氧化处理，其氧化附着在磁性隧道结层的蚀刻侧上的第一蚀刻产物。
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