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公开(公告)号：CN119170599A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202410180514.3
申请日：2024-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/522 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 公开了半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：包括有源图案的衬底；有源图案上的沟道图案；源极/漏极图案，其电连接到沟道图案；沟道图案上的栅电极；栅电极上的层间介电层，其中层间介电层包括凹部；凹部中的过孔件；布线线路，其在层间介电层上并电连接到过孔件；以及布线线路和层间介电层的上表面之间的粘附层，其中过孔件的上表面在第一方向上比层间介电层的上表面更靠近衬底，其中第一方向垂直于衬底的上表面，并且其中粘附层的一部分在凹部的内侧壁的一部分上。
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公开(公告)号：CN112397641A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010818608.0
申请日：2020-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁性存储器件包括：第一单元阵列结构，其包括在平行于衬底的顶表面的第一方向上延伸且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开的第一自由磁性图案和第二自由磁性图案；以及第二单元阵列结构，其包括在第一自由磁性图案与第二自由磁性图案之间的第三自由磁性图案以及与第三自由磁性图案间隔开且第二自由磁性图案在其间的第四自由磁性图案。第一单元阵列结构还包括第一晶体管区域，其包括分别连接到第一自由磁性图案和第二自由磁性图案的第一晶体管。第二单元阵列结构还包括第二晶体管区域，其包括分别连接到第三自由磁性图案和第四自由磁性图案的第二晶体管。第二晶体管区域在第一方向上与第一晶体管区域间隔开。
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公开(公告)号：CN102479918B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201110386624.8
申请日：2011-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , H01L27/228
Abstract: 公开了形成磁性隧道结结构和形成磁性随机存取存储器的方法。一种制造磁性隧道结结构的方法，包括：通过在基板上顺序地堆叠第一磁性层、隧道介电层、和第二磁性层来形成磁性隧道结层。掩模图案形成在第二磁性层的区域上。通过执行至少一个蚀刻处理和至少一个氧化处理多次来形成磁性隧道结层图案和在磁性隧道结层图案的至少一个侧壁上的侧壁介电层图案。至少一个蚀刻处理可以包括第一蚀刻处理，其使用惰性气体和掩模图案来蚀刻磁性隧道结层的一部分以形成第一蚀刻产物。至少一个氧化处理包括第一氧化处理，其氧化附着在磁性隧道结层的蚀刻侧上的第一蚀刻产物。
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公开(公告)号：CN104934529A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510119636.2
申请日：2015-03-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , H01L27/228 , H01L43/12
Abstract: 本发明描述了一种用于提供可在磁性器件中使用的磁性结的方法以及该磁性结。该方法包括提供自由层、被钉扎层以及在自由层和被钉扎层之间的非磁性间隔层。自由层在写电流经过磁性结时可在多个稳定的磁态之间切换。提供自由层的步骤中的至少一个包括第一多个步骤，提供被钉扎层的步骤包括第二多个步骤。第一和第二多个步骤包括沉积层的一部分、沉积牺牲层、退火磁性结的在牺牲层下面的部分以及沉积该层的剩余部分。该层可以是自由层、被钉扎层或两者。
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公开(公告)号：CN1734662B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200510081709.X
申请日：2005-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , B82Y10/00 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供两端具有弯曲的凸出体的磁性隧道结结构、采用该结构的磁性RAM单元及其形成中使用的光掩模。该磁性隧道结结构包括堆叠在集成电路衬底上的被钉扎层图形、隧穿绝缘层图形和自由层图形。至少自由层图形包含主体以及俯视时分别从主体两端凸出的第一和第二弯曲凸出体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112397641B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202010818608.0
申请日：2020-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁性存储器件包括：第一单元阵列结构，其包括在平行于衬底的顶表面的第一方向上延伸且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开的第一自由磁性图案和第二自由磁性图案；以及第二单元阵列结构，其包括在第一自由磁性图案与第二自由磁性图案之间的第三自由磁性图案以及与第三自由磁性图案间隔开且第二自由磁性图案在其间的第四自由磁性图案。第一单元阵列结构还包括第一晶体管区域，其包括分别连接到第一自由磁性图案和第二自由磁性图案的第一晶体管。第二单元阵列结构还包括第二晶体管区域，其包括分别连接到第三自由磁性图案和第四自由磁性图案的第二晶体管。第二晶体管区域在第一方向上与第一晶体管区域间隔开。
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公开(公告)号：CN115696910A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210630011.2
申请日：2022-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种具有改善的电特性和可靠性的半导体存储器装置。半导体存储器装置包括：基底，包括由器件分离膜限定的有源区域，有源区域包括第一部分和第二部分，第二部分分别位于第一部分的两个相对侧上；位线，位于基底上并且跨有源区域延伸；以及位线接触件，位于基底与位线之间并且连接到有源区域的第一部分。位线接触件包括第一钌图案，并且第一钌图案的上表面的宽度小于第一钌图案的底表面的宽度。
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公开(公告)号：CN106876581B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201611010093.1
申请日：2016-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 德米特罗·埃帕尔科夫 , 王淑霞 , 李将银
Abstract: 本发明提供了具有细长自由层的磁结及其提供方法和包括其的磁存储器。描述了一种可用于磁性装置的磁结。所述磁结具有自由层、参考层以及在参考层与自由层之间的非磁性间隔层。当写入电流经过磁结时，自由层在稳定磁状态之间是可切换的。自由层具有在第一方向上的长度、在与第一方向垂直的第二方向上的宽度、交换刚度和与长度除以宽度相等的长宽比。长宽比大于1。交换刚度不小于2×10‑6erg/cm。
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公开(公告)号：CN105244436B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201510388393.2
申请日：2015-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 描述了一种可用于磁性器件中的磁性结。该磁性结包括被钉扎层、非磁性间隔层、不对称的自由层以及垂直磁各向异性(PMA)诱导层。非磁性间隔层在被钉扎层与自由层之间。自由层在非磁性间隔层与PMA诱导层之间。不对称的自由层包括具有第一硼含量的第一铁磁层和具有第二硼含量的第二铁磁层。第二硼含量小于第一硼含量。第一硼含量和第二硼含量每个大于零原子百分比。该磁性结被配置为使得在写电流通过该磁性结时自由层在多个稳定的磁态之间可切换。
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公开(公告)号：CN102956813B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201210285196.4
申请日：2012-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G06F13/16 , G11C11/161 , G11C11/1659 , H01L43/02 , H01L43/10
Abstract: 本申请提供磁隧道结器件、存储器、存储系统及电子设备。一种磁隧道结器件包括：第一结构，包括磁层；第二结构，包括至少两个外在垂直磁化结构，每个外在垂直磁化结构包括磁层以及该磁层上的垂直磁化诱导层；及隧道势垒，位于所述第一结构和第二结构之间。
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