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公开(公告)号：CN109560191B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201811060554.5
申请日：2018-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁阻随机存取存储(MRAM)器件，该MRAM器件包括：下电极；阻挡图案，在下电极上并包括处于非晶态的二元金属硼化物；籽晶图案，在阻挡图案上并包括金属；在籽晶图案上的MTJ结构；以及在MTJ结构上的上电极。
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公开(公告)号：CN116264817A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211596076.6
申请日：2022-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁阻随机存取存储器件包括：被钉扎层；在被钉扎层上的隧道势垒层；在隧道势垒层上的自由层结构，该自由层结构包括多个磁性层和分别在相邻的磁性层之间的多个金属插入层；以及在自由层结构上的上氧化物层，其中每个金属插入层包括掺有磁性材料的非磁性金属材料，所述多个金属插入层彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN109786547A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811323498.X
申请日：2018-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在一种制造可变电阻存储器件的方法中，在衬底上形成磁隧道结(MTJ)结构层。在蚀刻室中蚀刻该MTJ结构层以形成MTJ结构。通过传送室将其上具有该MTJ结构的衬底传送到沉积室。在所述沉积室中形成覆盖该MTJ结构的侧壁的保护层。所述蚀刻室、传送室和沉积室保持在等于或大于约10-8托的高真空状态。
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公开(公告)号：CN109671645A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811188675.8
申请日：2018-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/161 , H01L43/02 , H01L21/67253
Abstract: 提供了工艺控制方法和工艺控制系统。所述方法包括：对由一组多个晶片限定的晶片组执行沉积工艺；对所述晶片组执行测量工艺以获得关于所述多个晶片中的至少一个晶片的测量值；通过使用所述测量值与参考值之间的差来产生所述沉积工艺中的工艺条件的因素的目标值；以及基于所述目标值提供关于后续晶片组的所述因素的输入值。提供所述因素的输入值的操作包括：获得先前产生的关于至少一个先前晶片组的所述因素的先前目标值，以及提供所述先前目标值和所述目标值的加权平均值作为所述输入值。
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公开(公告)号：CN106654000B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201610957717.4
申请日：2016-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了形成层的方法、制造磁性存储器件的方法以及形成磁隧道结的方法，其中形成层的方法包括：在下部结构上方提供第一绝缘体和第二绝缘体，分别从第一绝缘体和第二绝缘体产生第一离子源和第二离子源；以及使用第一离子源和第二离子源在下部结构上形成绝缘层。第一绝缘体和第二绝缘体与下部结构垂直间隔开，并且彼此横向地间隔开。第一绝缘体和第二绝缘体包括彼此相同的材料。
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公开(公告)号：CN104658593B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201410659744.4
申请日：2014-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , H01L43/08
Abstract: 本发明公开了一种磁存储单元和磁存储器装置。磁存储单元包括磁隧道结和第一电极，所述第一电极通过第一导电结构电耦合至所述磁隧道结。所述第一导电结构包括阻挡层和在阻挡层与磁隧道结之间延伸的晶种层。所述阻挡层形成为非晶金属化合物。在一些实施例中，阻挡层是经热处理的层，并且在热处理期间和之后保持阻挡层的非晶状态。
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公开(公告)号：CN103811513B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201310538289.8
申请日：2013-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/222 , H01L27/228 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括：下部线、交叉下部线的上部线、提供在下部线和上部线之间的交叉点处的选择元件、以及提供在选择元件和上部线之间的存储元件。每个存储元件可以包括下电极和数据存储层，该下电极具有大于底部宽度的顶部宽度，该数据存储层包括层叠在下电极的顶表面上并且具有圆化的边缘的多个磁性层。
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公开(公告)号：CN102956813B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201210285196.4
申请日：2012-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G06F13/16 , G11C11/161 , G11C11/1659 , H01L43/02 , H01L43/10
Abstract: 本申请提供磁隧道结器件、存储器、存储系统及电子设备。一种磁隧道结器件包括：第一结构，包括磁层；第二结构，包括至少两个外在垂直磁化结构，每个外在垂直磁化结构包括磁层以及该磁层上的垂直磁化诱导层；及隧道势垒，位于所述第一结构和第二结构之间。
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公开(公告)号：CN107017337A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201611122010.8
申请日：2016-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/1657 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种磁存储器件以及一种制造该磁存储器件的方法。该方法包括在基板上形成第一磁性层、在第一磁性层上形成隧道势垒层以及在隧道势垒层上形成第二磁性层。形成隧道势垒层包括在第一磁性层上形成第一金属氧化物层、在第一金属氧化物层上形成第一金属层、在第一金属层上形成第二金属氧化物层以及进行第一热处理工艺以氧化第一金属层的至少一部分。
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公开(公告)号：CN106654000A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610957717.4
申请日：2016-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/3464 , H01F41/307 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了形成层的方法、制造磁性存储器件的方法以及形成磁隧道结的方法，其中形成层的方法包括：在下部结构上方提供第一绝缘体和第二绝缘体，分别从第一绝缘体和第二绝缘体产生第一离子源和第二离子源；以及使用第一离子源和第二离子源在下部结构上形成绝缘层。第一绝缘体和第二绝缘体与下部结构垂直间隔开，并且彼此横向地间隔开。第一绝缘体和第二绝缘体包括彼此相同的材料。
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