发明授权
- 专利标题： 发光二极管结构
- 专利标题（英）： Light emitting diode structure
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申请号： CN201110438718.5申请日： 2011-12-19
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公开(公告)号： CN102569580B公开(公告)日： 2015-06-24
- 发明人: 黄靖恩 , 罗信汯 , 林子晹
- 申请人： 新世纪光电股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾台南市台南科学园区大利三路5号
- 专利权人： 新世纪光电股份有限公司
- 当前专利权人： 新世纪光电股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾台南市台南科学园区大利三路5号
- 代理机构： 北京中原华和知识产权代理有限责任公司
- 代理商 寿宁; 张华辉
- 优先权： 099147095 2010.12.31 TW
- 主分类号： H01L33/36
- IPC分类号： H01L33/36 ; H01L33/14 ; H01L33/10
摘要：
本发明涉及一种发光二极管结构，其包含一基板、一第一半导体层、一第一金属电极、一第二半导体层、一导电层与一第二金属电极与至少一透光导电延伸件，其揭示该透光导电延伸件设于导电层上方并与第二金属电极相接设，透光导电延伸件的材料为一导电材料。通过透光导电延伸件可减少发光二极管所发的光线被遮蔽或吸收的情形，亦可让电流均匀分布，进而提高发光二极管的发光效率。
公开/授权文献
- CN102569580A 发光二极管结构 公开/授权日：2012-07-11
IPC分类:
