带有增强型源极-金属接头的屏蔽栅极沟槽金属氧化物半导体场效应管

发明授权

CN102623501B 带有增强型源极-金属接头的屏蔽栅极沟槽金属氧化物半导体场效应管有权转让

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专利标题： 带有增强型源极-金属接头的屏蔽栅极沟槽金属氧化物半导体场效应管
专利标题（英）： Shielded gate trench MOSFET with increased source-metal contact
申请号： CN201210022166.4

申请日： 2012-01-13
公开(公告)号： CN102623501B

公开(公告)日： 2015-06-03
发明人: 陈军
申请人： 万国半导体股份有限公司
申请人地址： 美国加利福尼亚桑尼维尔奥克米德公园道475号
专利权人： 万国半导体股份有限公司
当前专利权人： 万国半导体国际有限合伙公司
当前专利权人地址： 美国加利福尼亚桑尼维尔奥克米德公园道475号
代理机构： 上海信好专利代理事务所
代理商 张静洁; 张妍
优先权： 13/016,804 2011.01.28 US
主分类号： H01L29/78
IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/423 ; H01L21/336

摘要：

一种形成在具有衬底顶面的半导体衬底上的半导体器件，包含：一个从衬底顶面延伸到半导体衬底中的栅极沟槽；一个在栅极沟槽中的栅极电极；一个沉积在栅极电极上方的电介质材料；一个在栅极沟槽附近的本体区；一个嵌在本体区中的源极区，至少一部分源极区延伸到电介质材料上方；一个接触沟槽，使源极区和本体区之间能进行电气等接触；以及一个沉积在至少一部分栅极沟槽开口、至少一部分源极区以及至少一部分接触沟槽上方的金属层。

公开/授权文献

CN102623501A 带有增强型源极-金属接头的屏蔽栅极沟槽金属氧化物半导体场效应管公开/授权日：2012-08-01

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的