- 专利标题: 利用超临界流体制备二维原子晶体新材料的方法
- 专利标题(英): Method for preparing two-dimensional atomic crystal new material by supercritical fluid
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申请号: CN201210226272.4申请日: 2012-07-02
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公开(公告)号: CN102732966A公开(公告)日: 2012-10-17
- 发明人: 周城宏 , 赵亚平 , 忻娜 , 王燕 , 王武聪
- 申请人: 上海交通大学
- 申请人地址: 上海市闵行区东川路800号
- 专利权人: 上海交通大学
- 当前专利权人: 上海交通大学
- 当前专利权人地址: 上海市闵行区东川路800号
- 代理机构: 上海科盛知识产权代理有限公司
- 代理商 林君如
- 主分类号: C30B30/06
- IPC分类号: C30B30/06 ; C30B29/68
摘要:
本发明涉及利用超临界流体制备二维原子晶体新材料的方法,以六方氮化硼(BN)、二硫化钼(MoS2)、二硫化钨(WS2)等层状结构材料为原料采用超临界流体(二氧化碳CO2)为剥离剂,成功剥离制备BN薄膜、MoS2薄膜、WS2薄膜等全新二维原子晶体材料,各类薄膜均以单层(单原子层)及少数薄层(少数原子层)形式存在。本发明制备得到的二维原子晶体薄膜,与石墨烯具有相同或相似结构,具备优异的力学性能及良好的透光性质,各种薄膜分别具备特异的电、磁、热、光学性能,在诸多领域具有广泛重要的应用前景,超临界流体剥离制备二维原子晶体薄膜技术具有产品薄膜层数可控,结构优异,产量高的优势,并且工艺简单,成本低的优点。
公开/授权文献
- CN102732966B 利用超临界流体制备二维原子晶体新材料的方法 公开/授权日:2015-05-20
IPC分类: