- 专利标题: 等离子体反应腔清洗装置及其等离子体反应腔清洗方法
- 专利标题(英): Plasma reaction cavity cleaning device and plasma reaction cavity cleaning method thereof
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申请号: CN201210371965.2申请日: 2012-09-29
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公开(公告)号: CN102856150A公开(公告)日: 2013-01-02
- 发明人: 吴紫阳 , 苏兴才 , 文秉述
- 申请人: 中微半导体设备(上海)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 专利权人: 中微半导体设备(上海)有限公司
- 当前专利权人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 代理机构: 上海信好专利代理事务所
- 代理商 张静洁; 徐雯琼
- 主分类号: H01J37/32
- IPC分类号: H01J37/32 ; C23F4/00
摘要:
本发明公开了一种等离子体反应腔清洗装置,包含多个输气管,间隔的贯通等离子体反应腔壁,其延伸部分与腔壁的侧壁形成夹角;输气管上还可以设置快速调节阀,控制输入反应腔内的气体流量。一种用于上述装置的等离子体反应腔清洗方法,先通过气体喷头向反应腔内输入具有清洁能力的气体,然后通过本发明装置向反应腔内输入气体,气体电离为等离子体,继续通过本发明装置向反应腔内输入气体搅动等离子体形成涡流,等离子体涡流剧烈运动与反应腔内沉积的聚合物发生反应,清洗结束后将气体排出。本发明能够使等离子形成涡流剧烈运动,提高了等离子体与难清洁部位沉积的聚合物的反应几率,从而提高对难清洁部位沉积的聚合物的清洗能力。
公开/授权文献
- CN102856150B 等离子体反应腔清洗装置及其等离子体反应腔清洗方法 公开/授权日:2015-08-26