发明授权
CN103238213B 倾斜裸芯堆叠体
失效 - 权利终止
- 专利标题: 倾斜裸芯堆叠体
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申请号: CN201280002479.1申请日: 2012-04-18
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公开(公告)号: CN103238213B公开(公告)日: 2016-03-16
- 发明人: 邱进添 , 俞志明 , 吕忠 , 余芬 , 王旭
- 申请人: 晟碟半导体(上海)有限公司 , 晟碟信息科技(上海)有限公司
- 申请人地址: 上海市闵行区江川东路388号
- 专利权人: 晟碟半导体(上海)有限公司,晟碟信息科技(上海)有限公司
- 当前专利权人: 晟碟半导体(上海)有限公司,晟碟信息科技(上海)有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市闵行区江川东路388号
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 邱军
- 国际申请: PCT/CN2012/074255 2012.04.18
- 国际公布: WO2013/155681 EN 2013.10.24
- 进入国家日期: 2013-02-19
- 主分类号: H01L25/065
- IPC分类号: H01L25/065 ; H01L23/488 ; H01L23/31
摘要:
一种半导体装置包括:基板;和堆叠在基板上方的至少两组半导体裸芯。每组半导体裸芯至少包括底部半导体裸芯和顶部半导体裸芯。每个半导体裸芯包括沿每个半导体裸芯的第一边排列的至少一个键合垫。至少两组半导体裸芯包括下置的半导体裸芯组和上置的半导体裸芯组。下置组的底部半导体裸芯设置于基板上且上置组的底部半导体裸芯直接设置于下置组的顶部半导体裸芯上。在每个组内,顶部半导体裸芯的第一边在第一方向从底部半导体裸芯的第一边偏置了组偏置长度。上置的半导体裸芯组的底部半导体裸芯的第一边在第一方向从下置组的底部半导体裸芯的第一边平移了平移长度Lshift。下置组的组偏置长度Lgoffset大于或等于上置组的平移长度Lshift。
公开/授权文献
- CN103238213A 倾斜裸芯堆叠体 公开/授权日:2013-08-07
IPC分类: