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公开(公告)号:CN103238213B
公开(公告)日:2016-03-16
申请号:CN201280002479.1
申请日:2012-04-18
Applicant: 晟碟半导体(上海)有限公司 , 晟碟信息科技(上海)有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/488 , H01L23/31
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L24/73 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48145 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2225/06506 , H01L2225/06562 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置包括:基板;和堆叠在基板上方的至少两组半导体裸芯。每组半导体裸芯至少包括底部半导体裸芯和顶部半导体裸芯。每个半导体裸芯包括沿每个半导体裸芯的第一边排列的至少一个键合垫。至少两组半导体裸芯包括下置的半导体裸芯组和上置的半导体裸芯组。下置组的底部半导体裸芯设置于基板上且上置组的底部半导体裸芯直接设置于下置组的顶部半导体裸芯上。在每个组内,顶部半导体裸芯的第一边在第一方向从底部半导体裸芯的第一边偏置了组偏置长度。上置的半导体裸芯组的底部半导体裸芯的第一边在第一方向从下置组的底部半导体裸芯的第一边平移了平移长度Lshift。下置组的组偏置长度Lgoffset大于或等于上置组的平移长度Lshift。
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公开(公告)号:CN103238213A
公开(公告)日:2013-08-07
申请号:CN201280002479.1
申请日:2012-04-18
Applicant: 晟碟半导体(上海)有限公司 , 晟碟信息科技(上海)有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/488 , H01L23/31
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L24/73 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48145 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2225/06506 , H01L2225/06562 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置包括:基板;和堆叠在基板上方的至少两组半导体裸芯。每组半导体裸芯至少包括底部半导体裸芯和顶部半导体裸芯。每个半导体裸芯包括沿每个半导体裸芯的第一边排列的至少一个键合垫。至少两组半导体裸芯包括下置的半导体裸芯组和上置的半导体裸芯组。下置组的底部半导体裸芯设置于基板上且上置组的底部半导体裸芯直接设置于下置组的顶部半导体裸芯上。在每个组内,顶部半导体裸芯的第一边在第一方向从底部半导体裸芯的第一边偏置了组偏置长度。上置的半导体裸芯组的底部半导体裸芯的第一边在第一方向从下置组的底部半导体裸芯的第一边平移了平移长度Lshift。下置组的组偏置长度Lgoffset大于或等于上置组的平移长度Lshift。
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公开(公告)号:CN110391218A
公开(公告)日:2019-10-29
申请号:CN201810366077.9
申请日:2018-04-23
Applicant: 晟碟半导体(上海)有限公司
Abstract: 公开了一种具有裸芯翘起控制的半导体装置。在一个实施例中,提供了一种半导体装置,包括:衬底;堆叠在该衬底上的第一半导体裸芯;以及堆叠在该第一半导体裸芯上的多个附加的半导体裸芯,其中该多个附加的半导体裸芯以偏移配置来堆叠,使得该多个附加的半导体裸芯中的每个的边缘悬垂于其所堆叠于上的半导体裸芯的边缘之上;其中该多个附加的半导体裸芯中的最顶部半导体裸芯的厚度大于其他附加的半导体裸芯中的任何一个的厚度。提供了其他实施例。
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