发明公开
- 专利标题: 一种宽光谱高透过、高绒度和低电阻的透明导电薄膜及其制备方法
- 专利标题(英): Wide-spectrum, high-transparency, high-down-degree and low-resistance transparent conductive film and preparation method of conductive film
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申请号: CN201310291907.3申请日: 2013-07-12
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公开(公告)号: CN103337562A公开(公告)日: 2013-10-02
- 发明人: 张晓丹 , 刘阳 , 黄茜 , 赵颖 , 魏长春 , 张德坤 , 许盛之 , 侯国付 , 任慧志 , 王广才 , 陈新亮 , 张建军 , 倪牮
- 申请人: 南开大学
- 申请人地址: 天津市南开区卫津路94号
- 专利权人: 南开大学
- 当前专利权人: 南开大学
- 当前专利权人地址: 天津市南开区卫津路94号
- 代理机构: 天津佳盟知识产权代理有限公司
- 代理商 侯力
- 主分类号: H01L31/18
- IPC分类号: H01L31/18 ; H01L31/048 ; H01L31/0224 ; C23C14/22 ; C23C14/14 ; C23F1/36
摘要:
一种宽光谱高透过、高绒度和低电阻的透明导电薄膜及其制备方法。该方法在ZnO薄膜表面沉积一层Al覆盖层,在高温下对薄膜进行退火处理,经过湿法腐蚀工艺处理后得到形成具有高电导、高透过率、宽光谱陷光的透明导电氧化锌薄膜材料。本发明所述氧化锌为掺杂半导体,如ZnO:Al、ZnO:Ga、ZnO:B、ZnO:Mo、ZnO:W,n型半导体材料,可应用于非晶硅基、微晶硅基、纳米硅基薄膜的单结及多结太阳电池。
IPC分类: